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1. (WO2018011993) SIMULATION METHOD AND SIMULATION DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/011993    International Application No.:    PCT/JP2016/071079
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 15.07.2016
IPC:
H01M 10/48 (2006.01), G01R 31/36 (2006.01), G06F 17/50 (2006.01)
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventors: MATSUMOTO Tetsuya; (JP).
MAEDA Kenichi; (JP).
KONDOH Takafumi; (JP).
OHNUMA Takamitsu; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SIMULATION METHOD AND SIMULATION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE SIMULATION
(JA) シミュレーション方法及びシミュレーション装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a simulation method such that the characteristics of a power storage device after deterioration can be estimated accurately. In this simulation method, a simulation is performed using an equivalent circuit model for the power storage device. The simulation method comprises the step of calculating a terminal voltage V(t) in the equivalent circuit model on the basis of a current I(t) flowing through the equivalent circuit model. The equivalent circuit model comprises a plurality of characteristic parameters. At least one of the characteristic parameters includes a time function representing an effect of deterioration on the power storage device. The time function has terms including a time integral of a value representing the operating state of the power storage device, and a coefficient representing a deterioration rate multiplied by the time integral.
(FR)L'invention concerne un procédé de simulation permettant d'estimer avec précision les caractéristiques d'un dispositif de stockage d'énergie après une détérioration. Dans ce procédé de simulation, une simulation est effectuée à l'aide d'un modèle de circuit équivalent destiné au dispositif de stockage d'énergie. Le procédé de simulation consiste à calculer une tension aux bornes V(t) dans le modèle de circuit équivalent sur la base d'un courant I(t) circulant dans ce dernier. Le modèle de circuit équivalent présente une pluralité de paramètres caractéristiques. Au moins un paramètre de la pluralité de paramètres caractéristiques comprend une fonction temporelle représentant un effet de détérioration sur le dispositif de stockage d'énergie. La fonction temporelle comprend des termes qui consistent en une intégrale temporelle d'une valeur représentant l'état de fonctionnement du dispositif de stockage d'énergie, et en un coefficient représentant un taux de détérioration multiplié par l'intégrale temporelle.
(JA)劣化したときの蓄電デバイスの特性を精度よく推定することができるシミュレーション方法を提供する。このシミュレーション方法は、蓄電デバイスの等価回路モデルを用いてシミュレーションを行う方法であって、等価回路モデルを流れる電流I(t)に基づいて等価回路モデルの端子電圧V(t)を計算するステップを含む。等価回路モデルは、複数の特性パラメータを含む。少なくとも一つの特性パラメータは、蓄電デバイスの劣化の影響を表す時間関数を含む。その時間関数は、蓄電デバイスの動作状態を表す数値の時間積分と、時間積分に乗算された劣化速度を表す係数とを含む項を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)