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1. (WO2018011647) METAL OXIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/011647    International Application No.:    PCT/IB2017/053613
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 19.06.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
NAKASHIMA, Motoki; (JP).
BABA, Haruyuki; (JP)
Priority Data:
2016-137193 11.07.2016 JP
Title (EN) METAL OXIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) OXYDE MÉTALLIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A novel metal oxide is provided. The metal oxide has a plurality of energy gaps, and includes a first region having a high energy level of a conduction band minimum and a second region having an energy level of a conduction band minimum lower than that of the first region. The second region comprises more carriers than the first region. A difference between the energy level of the conduction band minimum of the first region and the energy level of the conduction band minimum of the second region is 0.2 eV or more. The energy gap of the first region is greater than or equal to 3.3 eV and less than or equal to 4.0 eV and the energy gap of the second region is greater than or equal to 2.2 eV and less than or equal to 2.9 eV.
(FR)L'invention concerne un nouvel oxyde métallique. L'oxyde métallique présente une pluralité de largeurs de bande interdite et comprend une première région ayant un niveau d'énergie élevé du minimum de bande de conduction et une seconde région ayant un niveau d'énergie du minimum de bande de conduction inférieur à celui de la première région. La seconde région contient plus de porteurs que la première région. Une différence entre le niveau d'énergie du minimum de bande de conduction de la première région et le niveau d'énergie du minimum de bande de conduction de la seconde région est supérieure ou égale à 0,2 eV. La largeur de bande interdite de la première région est supérieure ou égale à 3,3 eV et inférieure ou égale à 4,0 eV et la largeur de bande interdite de la seconde région est supérieure ou égale à 2,2 eV et inférieure ou égale à 2,9 eV.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)