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1. (WO2018011298) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
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Pub. No.: WO/2018/011298 International Application No.: PCT/EP2017/067605
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 12.07.2017
IPC:
H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors: SCHOLZ, Dominik; DE
PFEUFFER, Alexander F.; DE
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2016 112 857.013.07.2016DE
Title (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (1), comprising a semiconductor body (10), first (11) and second (12) contact points, a rewiring structure (20), and first (21) and second (22) connection points. The semiconductor body (10) is provided with a plurality of emission regions (100), which are arranged laterally side-by-side. Each can be electrically conductively contacted via the first (11) and second (12) contact point and can be operated separately from one another. The rewiring structure (20) connects each first contact point (11) to a designated first connection point (21) in an electrically conductive manner. The rewiring structure (20) connects each second contact point (12) to a designated second connection point (22) in an electrically conductive manner. At least one of the connection points (21, 22) does not overlap in a vertical direction with a contact point (11, 12) that is electrically conductively connected to that connection point (21, 22). Several second contact points (12) are connected to a common second connection point (22) in an electrically conductive manner, and each first connection point (21) is arranged laterally directly adjacent to a further first connection point (21).
(FR) L’invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (1) comprenant un corps semi-conducteur (10), un premier (11) et un second (12) point de contact, une structure de recâblage (20) et des premier (21) et second points de connexion (22), auxquels le corps semi-conducteur (10) comporte une pluralité de zones d’émission (100) qui sont disposées latéralement les unes à côté des autres, qui peuvent être contactées de façon électriquement conductrice par le biais des premier (11) et second (12) points de contact et qui peut être utilisées séparément les uns des autres. La structure de recâblage (20) relie électriquement chaque premier point de contact (11) à un premier point de connexion associé (21). La structure de recâblage (20) relie électriquement chaque second point de contact (12) à un second point de connexion associé (22). Au moins un des points de connexion (21, 22) ne recouvre pas dans la direction verticale un point de contact (11, 12) connecté électriquement à ce point de connexion (21, 22). Plusieurs seconds points de contact (12) sont connectés électriquement à un second point de connexion commun (22). Chaque premier point de connexion (21) est disposé latéralement de façon directement adjacente à un autre premier point de connexion (21).
(DE) Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen Halbleiterkörper (10), erste (11) und zweite (12) Kontaktstellen, eine Umverdrahtungsstruktur (20) und erste (21) und zweite Anschlussstellen (22), bei dem der Halbleiterkörper (10) eine Vielzahl von Emissionsbereichen (100) aufweist, die lateral nebeneinander angeordnet sind und die jeweils elektrisch leitend über die erste (11) und zweite (12) Kontaktstelle kontaktierbar und separat voneinander betreibbar sind, die Umverdrahtungsstruktur (20) jede erste Kontaktstelle (11) elektrisch leitend mit einer zugeordneten ersten Anschlussstelle (21) verbindet, die Umverdrahtungsstruktur (20) jede zweite Kontaktstelle (12) elektrisch leitend mit einer zugeordneten zweiten Anschlussstelle (22) verbindet, mindestens eine der Anschlussstellen (21, 22) überlappt mit einer elektrisch leitend mit dieser Anschlussstelle (21, 22) verbundenen Kontaktstelle (11, 12) in vertikaler Richtung nicht, mehrere zweite Kontaktstellen (12) mit einer gemeinsamen zweiten Anschlussstelle (22) elektrisch leitend verbunden sind, jede erste Anschlussstelle (21) lateral direkt benachbart zu einer weiteren ersten Anschlussstelle (21) angeordnet ist.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)