WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Options
Query Language
Stem
Sort by:
List Length
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018010986) APPARATUS FOR HANDLING A SEMICONDUCTOR WAFER IN AN EPITAXY REACTOR AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR WAFER HAVING AN EPITAXIAL LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/010986 International Application No.: PCT/EP2017/066437
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 03.07.2017
IPC:
H01L 21/687 (2006.01) ,C30B 25/12 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67
Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components
683
for supporting or gripping
687
using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
C CHEMISTRY; METALLURGY
30
CRYSTAL GROWTH
B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
25
Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour deposition growth
02
Epitaxial-layer growth
12
Substrate holders or susceptors
Applicants: SILTRONIC AG[DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Inventors: MOOS, Patrick; DE
HECHT, Hannes; DE
Agent: STAUDACHER, Wolfgang; DE
Priority Data:
10 2016 212 780.213.07.2016DE
Title (EN) APPARATUS FOR HANDLING A SEMICONDUCTOR WAFER IN AN EPITAXY REACTOR AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR WAFER HAVING AN EPITAXIAL LAYER
(FR) DISPOSITIF POUR MANIPULER UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR DANS UN RÉACTEUR D’ÉPITAXIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR À COUCHE ÉPITAXIALE
(DE) VORRICHTUNG ZUR HANDHABUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE IN EINEM EPITAXIE-REAKTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE MIT EPITAKTISCHER SCHICHT
Abstract:
(EN) The apparatus comprises a susceptor; elongated holes passing through the susceptor; a wafer lifting shaft; wafer lifting pins led through the elongated holes; a susceptor carrying shaft; susceptor carrying arms; susceptor supporting pins; guide sleeves anchored in the susceptor carrying arms; and guide elements which project from the guide sleeves and have at upper ends drilled holes in which the wafer lifting pins are inserted, and which can be lifted and lowered by means of the wafer lifting shaft together with the wafer lifting pins.
(FR) L'invention concerne un dispositif pour manipuler une tranche de semi-conducteur dans un réacteur d’épitaxie et un procédé de fabrication d’une tranche de semi-conducteur à couche épitaxiale. Le dispositif comprend un suscepteur ; des trous oblongs traversant le suscepteur ; un arbre de levage de tranche ; des broches de levage de tranche qui sont guidées à travers les trous oblongs ; un arbre support de suscepteur ; des bras supports de suscepteur ; des broches de soutien de suscepteur ; des manchons de guidage qui sont ancrés dans les bras supports de suscepteur ; et des éléments de guidage qui dépassent des manchons de guidage et qui présentent à leur extrémité supérieure un trou dans lequel est insérée une broche de levage de tranche respective, et qui peuvent être levés et abaissés en même temps que les broches de levage de tranche au moyen de l’arbre de levage de tranche.
(DE) Vorrichtung zur Handhabung einer Halbleiterscheibe in einem Epitaxie-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht. Die Vorrichtung umfasst einen Suszeptor; durch den Suszeptor führende Langlöcher; eine Scheiben-Hebewelle; Scheiben-Hebestifte, die durch die Langlöcher geführt sind; eine Suszeptor-Tragwelle; Suszeptor-Tragarme; Suszeptor-Stützstifte; Führungshülsen, die in den Suszeptor-Tragarmen verankert sind; und Führungselemente, die aus den Führungshülsen ragen und an oberen Enden Bohrungen aufweisen, in denen die Scheiben-Hebestifte stecken, und die mittels der Scheiben-Hebewelle zusammen mit den Scheiben-Hebestiften heb- und absenkbar sind.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)