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1. (WO2018010960) PROJECTION OPTICAL UNIT FOR EUV PROJECTION LITHOGRAPHY
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Pub. No.:    WO/2018/010960    International Application No.:    PCT/EP2017/065936
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 28.06.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G02B 17/06 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE)
Inventors: SCHWAB, Markus; (DE).
ENKISCH, Hartmut; (DE).
SCHICKETANZ, Thomas; (DE)
Agent: RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB; Königstrasse 2 90402 Nürnberg (DE)
Priority Data:
10 2016 212 578.8 11.07.2016 DE
Title (EN) PROJECTION OPTICAL UNIT FOR EUV PROJECTION LITHOGRAPHY
(FR) UNITÉ OPTIQUE DE PROJECTION POUR LITHOGRAPHIE PAR PROJECTION EUV
Abstract: front page image
(EN)A projection optical unit (7) for EUV projection lithography has a plurality of mirrors (M1 to M10) for imaging an object field (4) into an image field (8) with illumination light (3). At least one of the mirrors (M1, M9, M10) is embodied as an NI mirror and at least one of the mirrors (M2 to M8) is embodied as a GI mirror. A mirror dimension Dx of the at least one NI mirror in a plane of extent (xz) perpendicular to a plane of incidence (yz) satisfies the following relationship: 4 LLWx/IWPVmax < Dx. A mirror dimension Dy of the at least one GI mirror in the plane of incidence (yz) satisfies the following relationship: 4 LLWy/(IWPVmax cos(a)) < Dy. Here, LLWx and LLWy denote the étendue of the projection optical unit (7) in the plane of extent (xz) and in the plane of incidence (yz) and IWPVmax denotes the maximum difference between a maximum angle of incidence and a minimum angle of incidence of the illumination light (3) on the reflection surface of the NI mirror (M1, M9, M10) and on the reflection surface of the GI mirror (M2 to M8). a denotes the angle of incidence of a chief ray (16) of the central field point on the reflection surface of the GI mirror (M2 to M8). This results in a projection optical unit which is optimizable, in particular for very short EUV illumination light wavelengths.
(FR)L'invention concerne une unité optique de projection (7) pour la lithographie par projection EUV, qui comprend une pluralité de miroirs (M1 à M10) pour l'imagerie d'un champ d'objet (4) dans un champ d'image (8) avec une lumière d'éclairage (3). Au moins un des miroirs (M1, M9, M10) se présente sous la forme d'un miroir NI et au minimum un des miroirs (M2 à M8) se présente sous la forme d'un miroir GI. Une dimension de miroir (Dx) dudit miroir NI dans un plan d'extension (xz) perpendiculaire à un plan d'incidence (yz) satisfait à la relation suivante : 4 LLWx/IWPVmax < Dx. Une dimension de miroir (Dy) dudit miroir GI dans le plan d'incidence (yz) satisfait à la relation suivante : 4 LLWy/(IWPVmaxcos(a)) < Dy. Ici, LLWx et LLWy désignent l'étendue de l'unité optique de projection (7) dans le plan d'extension (xz) et dans le plan d'incidence (yz) et IWPVmax désigne la différence maximale entre un angle d'incidence maximal et un angle d'incidence minimal de la lumière d'éclairage (3) sur la surface de réflexion du miroir NI (M1, M9, M10) et sur la surface de réflexion du miroir GI (M2 à M8). a désigne l'angle d'incidence d'un rayon principal (16) du point de champ central sur la surface de réflexion du miroir GI (M2 à M8). On obtient ainsi une unité optique de projection qui peut être optimisée, en particulier pour des longueurs d'onde de lumière d'éclairage EUV très courtes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)