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1. (WO2018010883) COMPONENT WITH IMPROVED EFFICIENCY AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT
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Pub. No.:    WO/2018/010883    International Application No.:    PCT/EP2017/062783
Publication Date: 18.01.2018 International Filing Date: 26.05.2017
IPC:
H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 27/15 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: HIRMER, Marika; (DE).
HUPPMANN, Sophia; (DE).
KATZ, Simeon; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2016 113 002.8 14.07.2016 DE
Title (DE) BAUELEMENT MIT VERBESSERTER EFFIZIENZ UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS
(EN) COMPONENT WITH IMPROVED EFFICIENCY AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT
(FR) COMPOSANT POSSÉDANT UNE EFFICACITÉ ACCRUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Bauelement mit einem Substrat (1), einem ersten Halbleiterkörper (2), einem zweiten Halbleiterkörper (4) und eine erster Übergangszone (3), wobei eine erste aktive Schicht (23) des ersten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung erster Peakwellenlänge eingerichtet ist und eine zweite aktive Schicht (43) des zweiten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zweiter Peakwellenlänge eingerichtet ist. Die erste Übergangszone ist in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet und grenzt unmittelbar an den ersten sowie an den zweiten Halbleiterkörper an. Die erste Übergangszone weist ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Material auf, sodass der erste Halbleiterkörper über die erste Übergangszone mit dem zweiten Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist. Außerdem weist die erste Übergangszone eine strukturierte Hauptfläche (301, 302) und/oder eine erste teilweise transparente und teilweise wellenlängenselektiv reflektierende Spiegelstruktur (33) auf. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines hier beschriebenen Bauelements besonders geeignet ist, bei dem der erste und der zweite Halbleiterkörper insbesondere mittels Direktbondens mechanisch und elektrisch miteinander verbunden werden.
(EN)A component is described, having a substrate (1), a first semiconductor body (2), a second semiconductor body (4) and a first transition zone (3), a first active layer (23) of the first semiconductor body being designed to generate electromagnetic radiation of a first peak wavelength, and a second active layer (43) of the second semiconductor body being designed to generate electromagnetic radiation of a second peak wavelength. The first transition zone is disposed between the first semiconductor body and the second semiconductor body in the vertical direction and directly adjoins the first and second semiconductor bodies. The first transition zone contains a radiation-transparent and electrically conductive material so that the first semiconductor body is electrically conductively connected to the second semiconductor body via the first transition zone. The first transition zone also has a structured main face (301, 302) and/or a first partially transparent and partially wavelength-selectively reflective mirror structure (33). Also disclosed is a method particularly suitable for producing a component as described, in which method the first and second semiconductor bodies are interconnected mechanically and electrically, in particular by means of direct bonding.
(FR)La présente invention concerne un composant comportant un substrat (1), un premier corps semi-conducteur (2), un deuxième corps semi-conducteur (4) et une première zone de transition (3), une première couche active (23) du premier corps semi-conducteur étant conçue pour générer un rayonnement électromagnétique de la première longueur d'onde de crête et une deuxième couche active (43) du deuxième corps semi-conducteur étant conçue pour générer un rayonnement électromagnétique de la deuxième longueur d'onde de crête. La première zone de transition est disposée dans la direction verticale entre le premier corps semi-conducteur et le deuxième corps semi-conducteur et elle est adjacente directement au premier ainsi qu'au deuxième corps semi-conducteurs. La première zone de transition comporte un matériau électriquement conducteur et perméable aux rayonnements de sorte que le premier corps semi-conducteur est relié, au moyen de la première zone de transition, de manière électriquement conductrice, au deuxième corps semi-conducteur. En outre, la première zone de transition comporte une surface principale structurée (301, 302) et/ou une première structure de miroir (33) partiellement transparente et partiellement réfléchissante à sélection de longueurs d'ondes. En outre, la présente invention concerne un procédé, lequel est particulièrement avantageux pour fabriquer ledit composant, durant lequel les premier et deuxième corps semi-conducteurs sont reliés de manière mécanique et de manière électrique entre eux, en particulier par soudage directe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)