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1. (WO2018008734) FILM-FORMING COMPOSITION, FILM FORMATION METHOD, AND DIRECTED SELF-ASSEMBLY LITHOGRAPHY PROCESS
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Pub. No.: WO/2018/008734 International Application No.: PCT/JP2017/024875
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 06.07.2017
IPC:
C09D 201/02 (2006.01) ,C08F 220/12 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01)
Applicants: JSR CORPORATION[JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventors: KOMATSU Hiroyuki; JP
ODA Tomohiro; JP
OSAKI Hitoshi; JP
HORI Masafumi; JP
NARUOKA Takehiko; JP
Agent: AMANO Kazunori; JP
Priority Data:
2016-13463306.07.2016JP
Title (EN) FILM-FORMING COMPOSITION, FILM FORMATION METHOD, AND DIRECTED SELF-ASSEMBLY LITHOGRAPHY PROCESS
(FR) COMPOSITION FORMANT FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, ET PROCÉDÉ LITHOGRAPHIQUE À AUTO-ASSEMBLAGE DIRIGÉ
(JA) 膜形成用組成物、膜形成方法及び自己組織化リソグラフィープロセス
Abstract: front page image
(EN) The purpose of the present invention is to provide a film-forming composition for forming an undercoat capable of satisfactorily forming a phase separation structure due to directed self-assembly and of forming a pattern having a low residue content and few defects. The present invention provides a film-forming composition characterized by comprising a solvent and a polymer that comprises first repeating units, which each include a crosslinkable group, second repeating units, which are different from the first repeating units, and third repeating units, which are different from the first repeating units and have higher polarity than the second repeating units, and that has, on at least one terminal of the main chain, a structural unit which contains a first group, which interacts with Si-OH, Si-H, or Si-N. It is preferable that the composition should be used for forming an undercoat on the upper-side surface of a substrate having Si-OH, Si-H, or Si-N in the surface layer, the undercoat being for a directed self-assembly film comprising a block copolymer that comprises a block comprising the second repeating units and a block comprising the third repeating units.
(FR) La présente invention concerne une composition formant film destinée à former une sous-couche susceptible de former de manière satisfaisante une structure de séparation de phase dû à l’auto-assemblage dirigé et de formation d’un motif ayant une faible teneur en résidus et peu de défauts. La présente invention décrit une composition formant film caractérisée en ce qu’elle comprend un solvant et un polymère qui comprend de premiers motifs de répétition, qui comprennent chacun un groupe réticulable, de seconds motifs de répétition, qui sont différents des premiers motifs de répétition, et de troisièmes motifs de répétition, qui sont différents des premiers motifs de répétition et qui présentent une polarité supérieure aux seconds motifs de répétition, et qui possèdent, sur au moins une terminaison de la chaîne principale, un motif structurel qui contient un premier groupe, qui interagit avec Si-OH, Si-H, ou Si-N. Il est préférable que la composition soit utilisée pour former une sous-couche sur la surface côté supérieur d’un substrat ayant du Si-OH, Si-H, ou Si-N dans la couche de surface, la sous-couche servant à un film d’auto-assemblage dirigé comprenant un copolymère séquencé qui comprend une séquence comprenant les seconds motifs de répétition et une séquence comprenant les troisièmes motifs de répétition.
(JA) 自己組織化による相分離構造を良好に形成させ、かつ残渣及び欠陥の少ないパターンを形成させることができる下地を形成する膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、架橋性基を含む第1繰り返し単位、第1繰り返し単位と異なる繰り返し単位である第2繰り返し単位、及び第1繰り返し単位と異なりかつ第2繰り返し単位より極性が高い第3繰り返し単位を有し、主鎖の少なくとも一方の末端にSi-OH、Si-H又はSi-Nと相互作用する第1基を含む構造単位を有する重合体と、溶媒とを含有することを特徴とする膜形成用組成物である。Si-OH、Si-H又はSi-Nを表層に有する基板の上面側に形成され、上記第2繰り返し単位を含むブロック及び上記第3繰り返し単位を含むブロックを有するブロック共重合体を含有する自己組織化膜の下地の形成に用いられることが好ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)