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1. (WO2018008594) PELLICLE FILM, PELLICLE FRAME, PELLICLE, METHOD FOR PRODUCING SAME, ORIGINAL PLATE FOR LIGHT EXPOSURE, LIGHT EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/008594    International Application No.:    PCT/JP2017/024335
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 03.07.2017
IPC:
G03F 1/62 (2012.01), C01B 32/162 (2017.01)
Applicants: MITSUI CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 5-2, Higashi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1057122 (JP).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1 Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventors: ONO Yosuke; (JP).
OKUBO Atsushi; (JP).
KOHMURA Kazuo; (JP).
SEKIGUCHII Atsuko; (JP).
KATO Yuichi; (JP).
YAMADA Takeo; (JP)
Agent: TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.; Sonpo Japan Nipponkoa Kamata Building 9F, 5-24-2 Kamata, Ota-ku, Tokyo 1440052 (JP)
Priority Data:
2016-133062 05.07.2016 JP
Title (EN) PELLICLE FILM, PELLICLE FRAME, PELLICLE, METHOD FOR PRODUCING SAME, ORIGINAL PLATE FOR LIGHT EXPOSURE, LIGHT EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FILM DE PELLICULE, CADRE DE PELLICULE, PELLICULE, LEUR PROCÉDÉ DE PRODUCTION, PLAQUE ORIGINALE POUR EXPOSITION À LA LUMIÈRE, APPAREIL D'EXPOSITION À LA LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ペリクル膜、ペリクル枠体、ペリクル、その製造方法、露光原版、露光装置、半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: a pellicle film which has higher EUV transmittance; a pellicle frame; and a pellicle. Also provided are: an original plate for light exposure, which uses this pellicle film, pellicle frame or pellicle and enables the achievement of EUV lithography with high accuracy; and a method for manufacturing a semiconductor device. A pellicle film for light exposure, which is fitted to a support frame so as to stretch out over the opening of the support frame, and which has a thickness of 200 nm or less, while containing a carbon nanotube sheet. The carbon nanotube sheet is provided with bundles, each of which is formed of a plurality of carbon nanotubes and has a diameter of 100 nm or less. The bundles are in-plane oriented in the carbon nanotube sheet.
(FR)L'invention concerne : un film de pellicule qui présente une transmittance EUV supérieure ; un cadre de pellicule ; et une pellicule. L'invention concerne également : une plaque originale pour l'exposition à la lumière, qui utilise ce film de pellicule, ce cadre de pellicule ou cette pellicule et qui permet d'obtenir une lithographie EUV avec une grande précision ; ainsi qu'un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. L'invention concerne également un film de pellicule pour l'exposition à la lumière, qui est fixé à un cadre de support de manière à s'étendre sur l'ouverture du cadre de support, et qui a une épaisseur inférieure ou égale à 200 nm, tout en contenant une feuille de nanotubes de carbone. La feuille de nanotubes de carbone est pourvue de faisceaux, dont chacun est constitué d'une pluralité de nanotubes de carbone et a un diamètre inférieur ou égal à 100 nm. Les faisceaux sont orientés dans le plan dans la feuille de nanotubes de carbone.
(JA)さらにEUV透過性の高いペリクル膜、ペリクル枠体、ペリクルを提供する。また、これらを以て高い精度のEUVリソグラフィが可能な、露光原版、半導体装置の製造方法を提供する。支持枠の開口部に張設される露光用ペリクル膜であって、前記ペリクル膜は、厚さが200nm以下であり、前記ペリクル膜は、カーボンナノチューブシートを含み、前記カーボンナノチューブシートは複数のカーボンナノチューブから形成されるバンドルを備え、前記バンドルは径が100nm以下であり、前記カーボンナノチューブシート中で前記バンドルが面内配向している、露光用ペリクル膜。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)