Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018008389) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/008389 International Application No.: PCT/JP2017/022678
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 20.06.2017
IPC:
H01L 21/301 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
301
to subdivide a semiconductor body into separate parts, e.g. making partitions
Applicants:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventors:
小野 章吾 ONO Shogo; JP
Agent:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Priority Data:
2016-13225004.07.2016JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
Abstract:
(EN) The present technology relates to: a semiconductor device enabling to prevent a tape scrap from being generated due to a dicing tape at the time of performing dicing; a method for manufacturing the semiconductor device; and an electronic apparatus. Disclosed is a semiconductor device manufacturing method wherein, at the time of dividing a semiconductor substrate having formed thereon a protection film for protecting a circuit surface, dicing is performed so as to have a portion where the cross-sectional width of the semiconductor substrate and the cross-sectional width of the protection film are different from each other. The present technology can be applied to, for instance, a wafer-level chip size package (CSP) manufacturing step.
(FR) La présente technologie concerne : un dispositif à semi-conducteur permettant d'empêcher la génération de chutes de bande due à une bande de découpage en puces élémentaires au moment de l'exécution du découpage en puces élémentaires; un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur; et un appareil électronique. L'invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur dans lequel, au moment de la division d'un substrat à semi-conducteur sur lequel est formé un film de protection pour protéger une surface de circuit, le découpage en puces élémentaires est effectué de façon à avoir une partie où la largeur de section transversale du substrat semi-conducteur et la largeur de section transversale du film de protection sont différentes l'une de l'autre. La présente technologie peut être appliquée, par exemple, à une étape de fabrication de boîtier-puce (CSP) au niveau de la tranche.
(JA) 本技術は、ダイシング時にダイシングテープからテープ屑が発生することを防止することができるようにする半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 回路面を保護する保護膜が形成されている半導体基板を分割する際、半導体基板の断面幅と保護膜の断面幅が異なる部分を有するようにダイシングが行われる。本技術は、例えば、ウエハレベルCSPの製造工程等に適用できる。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)