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1. (WO2018008068) MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/008068    International Application No.:    PCT/JP2016/069810
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 04.07.2016
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: TAKAKI, Yasushi; (JP).
SUEKAWA, Eisuke; (JP).
TADOKORO, Chihiro; (JP)
Agent: TAKADA, Mamoru; (JP)
Priority Data:
Title (EN) MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)In a wafer process, polysilicon films (P1, P2) are respectively formed on a wafer (W1) and a monitor wafer (W2) simultaneously and under the same growth conditions. A measurement value is obtained by measuring at least one of the film thickness and the phosphorus concentration of the polysilicon film (P2) formed on the monitor wafer (W2). One of a plurality of mask patterns (A, B, C) is selected on the basis of the measurement value and a polysilicon resistor (5) is formed by etching, using the selected mask pattern, the polysilicon film (P1) formed on the wafer (W1).
(FR)Selon l'invention, dans un processus de tranche, des films de polysilicium (P1, P2) sont formés respectivement sur une tranche (W1) et sur une tranche de contrôle (W2) simultanément et dans les mêmes conditions de croissance. Une valeur de mesure est obtenue en mesurant au moins un paramètre parmi l'épaisseur de film et la concentration en phosphore du film de polysilicium (P2) formé sur la tranche de contrôle (W2). Un motif d'une pluralité de motifs de masque (A, B, C) est sélectionné en fonction de la valeur de mesure et une résistance en polysilicium (5) est formée en gravant, en utilisant le motif de masque sélectionné, le film de polysilicium (P1) formé sur la tranche (W1).
(JA)ウェハプロセスにおいてウェハ(W1)及びモニターウェハ(W2)に同時に同じ成長条件でポリシリコン膜(P1,P2)をそれぞれ形成する。モニターウェハ(W2)に形成したポリシリコン膜(P2)の膜厚とリン濃度の少なくとも一方を測定して測定値を得る。測定値に基づいて複数のマスクパターン(A,B,C)の1つを選択し、選択したマスクパターンを用いてウェハ(W1)に形成したポリシリコン膜(P1)をエッチングしてポリシリコン抵抗(5)を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)