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1. (WO2018006883) METHOD FOR PREPARING FILM BULK ACOUSTIC WAVE DEVICE BY USING FILM TRANSFER TECHNOLOGY
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Pub. No.:    WO/2018/006883    International Application No.:    PCT/CN2017/092396
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 10.07.2017
IPC:
H03H 3/02 (2006.01)
Applicants: SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.865, Changning Road, Changning District Shanghai 200050 (CN)
Inventors: OU, Xin; (CN).
HUANG, Kai; (CN).
JIA, Qi; (CN).
ZHANG, Shibin; (CN).
YOU, Tiangui; (CN).
ZHANG, Shuaibin; (CN)
Agent: J.Z.M.C. PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; YU, Mingwei Room 5022, No.335, Guo Ding Road, Yangpu District Shanghai 200433 (CN)
Priority Data:
201610527875.6 06.07.2016 CN
Title (EN) METHOD FOR PREPARING FILM BULK ACOUSTIC WAVE DEVICE BY USING FILM TRANSFER TECHNOLOGY
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME À FILM À L'AIDE D'UNE TECHNOLOGIE DE TRANSFERT DE FILM
(ZH) 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法
Abstract: front page image
(EN)A method for preparing a film bulk acoustic wave device by using a film transfer technology comprises: 1) providing an oxide single-crystal substrate (1); 2) implanting ions from an implantation surface (11) into the oxide single-crystal substrate (1), and then forming a lower electrode (2) on the implantation surface (11); or forming the lower electrode (2) on the implantation surface (11), and then implanting ions from the implantation surface (11) into the oxide single-crystal substrate (1); 3) providing a support substrate (3) and bonding a structure obtained in step 2) with the support substrate (3); 4) peeling off part of the oxide single-crystal substrate (1) along a defect layer so as to obtain an oxide single-crystal film (14), and transferring the oxide single-crystal film (14) and the lower electrode (2) to the support substrate (3); 5) corroding the support substrate (3) to form a cavity (5); and 6) forming an upper electrode (41) on the surface of the oxide single-crystal film (14). Provided is a method for preparing a film bulk acoustic wave filter core structure comprising a metal electrode, a single-crystal oxide and a metal electrode, which effectively resolves the problem of failure to prepare the single-crystal oxide between the metal electrodes.
(FR)Un procédé de préparation d'un dispositif à ondes acoustiques de volume à film à l'aide d'une technologie de transfert de film consiste à : 1) utiliser un substrat monocristallin d'oxyde (1) ; 2) implanter des ions à partir d'une surface d'implantation (11) dans le substrat monocristallin d'oxyde (1), puis former une électrode inférieure (2) sur la surface d'implantation (11) ; ou former l'électrode inférieure (2) sur la surface d'implantation (11), puis implanter des ions à partir de la surface d'implantation (11) dans le substrat monocristallin d'oxyde (1) ; 3) utiliser un substrat de support (3) et lier une structure obtenue à l'étape 2) au substrat de support (3) ; 4) décoller une partie du substrat monocristallin d'oxyde (1) le long d'une couche de défauts de manière à obtenir un film monocristallin d'oxyde (14), et transférer le film monocristallin d'oxyde (14) et l'électrode inférieure (2) sur le substrat de support (3) ; 5) corroder le substrat de support (3) pour former une cavité (5) ; et 6) former une électrode supérieure (41) sur la surface du film monocristallin d'oxyde (14). L'invention concerne un procédé de préparation d'une structure centrale de filtre à ondes acoustiques de volume à film comprenant une électrode métallique, un oxyde monocristallin et une électrode métallique, ce qui résout efficacement le problème consistant à ne pas parvenir à préparer l'oxyde monocristallin entre les électrodes métalliques.
(ZH)一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法,包括:1)提供氧化物单晶衬底(1);2)自注入面(11)向所述氧化物单晶衬底(1)内进行离子注入,而后在注入面(11)形成下电极(2);或在注入面(11)形成下电极(2),而后自注入面(11)向氧化物单晶衬底(1)内进行离子注入;3)提供支撑衬底(3),将步骤2)得到的结构与支撑衬底(3)键合;4)沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底(1),得到氧化物单晶薄膜(14),氧化物单晶薄膜(14)及下电极(2)转移至支撑衬底(3)上;5)腐蚀支撑衬底(3)以形成空腔(5);6)在氧化物单晶薄膜(14)表面形成上电极(41)。提供一种制备金属电极-单晶氧化物-金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构的方法,有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)