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1. (WO2018006879) ANISOTROPIC MAGNETIC RESISTANCE AND CURRENT SENSOR WITHOUT SETTING AND RESETTING APPARATUS
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Pub. No.: WO/2018/006879 International Application No.: PCT/CN2017/092284
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 07.07.2017
IPC:
G01R 33/09 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: MULTIDIMENSION TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No. 7 Guangdong Road, Free Trade Zone Zhangjiagang, Jiangsu 215634, CN
Inventors: SHEN, Weifeng; CN
XUE, Songsheng; CN
FENG, Lixian; CN
Agent: SCIHEAD IP LAW FIRM; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building, No. 80 Xian Lie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Priority Data:
201620715968.708.07.2016CN
Title (EN) ANISOTROPIC MAGNETIC RESISTANCE AND CURRENT SENSOR WITHOUT SETTING AND RESETTING APPARATUS
(FR) RÉSISTANCE MAGNÉTIQUE ANISOTROPE ET CAPTEUR DE COURANT SANS APPAREIL DE RÉGLAGE ET DE RÉINITIALISATION
(ZH) 一种无需置位和复位装置的各向异性磁电阻电流传感器
Abstract: front page image
(EN) An anisotropic magnetic resistance and current sensor without a setting and resetting apparatus, comprising a substrate (170). An exchange bias layer (160) is deposited on the substrate (170); the exchange bias layer (160) is constituted by an antiferromagnetic material; an AMR magnetic resistance layer (150) is deposited on the exchange bias layer (160); Barbey electrodes (140) are provided on the magnetic resistance layer (150); the exchange bias layer (160) and the AMR magnetic resistance layer (150) form a plurality of AMR magnetic resistance bars through a semi-conductor processing process; the Barbey electrodes (140) are arranged on each AMR magnetic resistance bar regularly; the AMR magnetic resistance bars are connected in series into an AMR magnetic resistor element; the AMR magnetic resistor element constitutes a Wheatstone bridge; an insulating layer (130) is deposited on the magnetic resistor element; a current conductor layer (120) is provided on the insulating layer (130); and an insulating protective layer (100) is deposited on the current conductor layer (120). The current sensor improves the sensitivity under a weak magnetic field, enlarges the linear operation range, and cancels a setting/resetting apparatus by utilizing the exchange coupling property between an antiferromagnetic layer and a magnetic resistance layer, thus reducing power consumption and costs.
(FR) La présente invention concerne une résistance magnétique anisotrope et un capteur de courant sans appareil de réglage et de réinitialisation, comprenant un substrat (170). Une couche de polarisation d'échange (160) est déposée sur le substrat (170); la couche de polarisation d'échange (160) est constituée d'un matériau antiferromagnétique; une couche de résistance magnétique AMR (150) est déposée sur la couche de polarisation d'échange (160); des électrodes de Barbey (140) sont disposées sur la couche de résistance magnétique (150); la couche de polarisation d'échange (160) et la couche de résistance magnétique AMR (150) forment une pluralité de barres de résistance magnétique AMR par l'intermédiaire d'un processus de traitement à semi-conducteur; les électrodes de Barbey (140) sont agencées régulièrement sur chaque barre de résistance magnétique AMR; les barres de résistance magnétique AMR sont connectées en série dans un élément de résistance magnétique AMR; l'élément de résistance magnétique AMR constitue un pont de Wheatstone; une couche isolante (130) est déposée sur l'élément de résistance magnétique; une couche conductrice de courant (120) est disposée sur la couche isolante (130); et une couche de protection isolante (100) est déposée sur la couche conductrice de courant (120). Le capteur de courant améliore la sensibilité sous un champ magnétique faible, étend la plage de fonctionnement linéaire, et annule un appareil de réglage/réinitialisation en utilisant la propriété de couplage d'échange entre une couche antiferromagnétique et une couche de résistance magnétique, de façon à réduire la consommation électrique et les coûts.
(ZH) 一种无需置位和复位装置的各向异性磁电阻电流传感器,包括基片(170),基片(170)上方沉积有交换偏置层(160),交换偏置层(160)由反铁磁材料构成,交换偏置层(160)上方沉积有AMR磁电阻层(150),磁电阻层(150)上方设置有巴贝电极(140),交换偏置层(160)、AMR磁电阻层(150)经半导体加工工艺形成多个AMR磁电阻条,巴贝电极(140)规律排布在每一个AMR磁电阻条上,AMR磁电阻条串联连接成AMR磁电阻元件,AMR磁电阻元件组成惠斯通电桥,磁电阻元件上方沉积有绝缘层(130),绝缘层(130)上方设置有电流导线层(120),电流导线层(120)上方沉积有绝缘保护层(100)。该电流传感器提高了在微弱磁场下的灵敏度,扩大线性工作范围,利用反铁磁层与磁阻层间的交换耦合特性,取消了复位/置位装置,降低功耗与成本。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)