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1. (WO2018006779) ELECTRONIC DEVICE BASED ON TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2018/006779 International Application No.: PCT/CN2017/091509
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 03.07.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors: YANG, Wen; CN
ZHANG, Riqing; CN
XIA, Yu; CN
Priority Data:
201610520971.804.07.2016CN
Title (EN) ELECTRONIC DEVICE BASED ON TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À BASE DE SEMI-CONDUCTEUR BIDIMENSIONNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法
Abstract: front page image
(EN) According to the embodiments of the present invention, the doping for a surrounding medium of a two-dimensional semiconductor or local filling of a solid material in the surrounding medium of the semiconductor is adopted to form a filling area, a electronic device based on a two-dimensional semiconductor is realized by using the doping effect of the doping area or the filling area for the characteristics of the two-dimensional semiconductor. According to the embodiments of the present invention, the doping for the two-dimensional semiconductor is not direct processing for the two-dimensional semiconductor, so that the damage of doping process for the two-dimensional semiconductor and the degeneration of device performance caused by the damage can be reduced effectively, thereby improving the stability of the device performance after doping.
(FR) Selon les modes de réalisation de la présente invention, le dopage d'un milieu environnant d'un semi-conducteur bidimensionnel ou le remplissage local d'un matériau solide dans le milieu environnant du semi-conducteur est adopté pour former une zone de remplissage, un dispositif électronique basé sur un semi-conducteur bidimensionnel est obtenu à l'aide de l'effet de dopage de la zone de dopage ou de la zone de remplissage des caractéristiques du semi-conducteur bidimensionnel. Selon les modes de réalisation de la présente invention, le dopage du semi-conducteur bidimensionnel n'est pas un traitement direct du semi-conducteur bidimensionnel, de telle sorte que la détérioration du processus de dopage du semi-conducteur bidimensionnel et la dégénération du rendement du dispositif provoquées par la détérioration peuvent être réduites efficacement, ce qui permet d'améliorer la stabilité du rendement du dispositif après le dopage.
(ZH) 本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区,利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处理,因此能够有效地降低掺杂过程对二维半导体造成的损伤及由此带来的器件性能退化,提升掺杂后器件性能的稳定性。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)