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1. (WO2018006747) GRAPHENE MATERIAL PRODUCTION DEVICE AND SYSTEM
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Pub. No.: WO/2018/006747 International Application No.: PCT/CN2017/090726
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 29.06.2017
IPC:
C01B 32/184 (2017.01)
Applicants: ZHANG, Lander[CN/CN]; CN
Inventors: ZHANG, Lander; CN
Agent: BEIJING ZHIQIAN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; 323, B3, Zhongguancun Nanyitiao Haidian District Beijing 100190, CN
Priority Data:
201610535027.X08.07.2016CN
Title (EN) GRAPHENE MATERIAL PRODUCTION DEVICE AND SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ET SYSTÈME DE PRODUCTION DE MATÉRIAU DE GRAPHÈNE
(ZH) 石墨烯材料生产装置和系统
Abstract: front page image
(EN) Provided is a graphene material production device and a system comprising the device. The device comprises: a first reaction assembly (1), a second reaction assembly (2), and a negative pressure generating assembly (3). The first reaction assembly (1) comprises: a first reaction chamber (11) and a first material outlet (12) provided at a bottom portion of the first reaction chamber. The second reaction assembly (2) comprises: a second reaction chamber (21) and a second material inlet (22). A valve (4) is provided in a connecting path between the first material outlet (12) and the second material inlet (22). A ventilation port of the negative pressure generating assembly (3) is disposed in the second reaction chamber (21). The device is applied in an oxidation-reduction technique for graphene manufacturing, and can address the issue of difficulty in transferring a viscous material. The device can reduce production difficulties and effectively improve an efficiency of graphene production.
(FR) L'invention porte également sur un dispositif de production de matériau de graphène et sur un système comprenant ce dispositif. Le dispositif comprend : un premier montage de réaction (1), un second montage de réaction (2) et un montage de génération de pression négative (3). Le premier montage de réaction (1) comprend : une première chambre de réaction (11) et une première sortie de matière (12) disposée au niveau d'une partie inférieure de la première chambre de réaction. Le second montage de réaction (2) comprend : une seconde chambre de réaction (21) et une seconde entrée de matière (22). Une soupape (4) est disposée dans une voie de liaison entre la première sortie de matière (12) et la seconde entrée de matière (22). Un orifice de ventilation du montage de génération de pression négative (3) est disposé dans la seconde chambre de réaction (21). Le dispositif est appliqué dans une technique d'oxydation-réduction pour la fabrication de graphène, et peut résoudre le problème de la difficulté de transfert d'un matériau visqueux. Le dispositif peut réduire les difficultés de production et améliorer efficacement le rendement de la production de graphène.
(ZH) 提供一种石墨烯材料生产装置和包括该装置的系统。该装置包括:第一反应组件(1)、第二反应组件(2)和负压产生组件(3);第一反应组件(1)包括第一反应室(11)和设于第一反应室底部的第一物料出口(12);第二反应组件(2)包括第二反应室(21)和第二物料入口(22);第一物料出口(12)与第二物料入口(22)间的连接通路设有阀门(4);负压产生组件(3)的抽气孔设于第二反应室(21)内。该装置应用于氧化还原法生产石墨烯材料的工艺中,能克服粘稠物料不易转移的问题,降低生产难度,有效提高石墨烯材料的生产效率。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)