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1. (WO2018006483) 2.7-3.5 GHZ 2W GAN MONOLITHIC POWER AMPLIFIER AND DESIGN METHOD THEREOF
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Pub. No.: WO/2018/006483 International Application No.: PCT/CN2016/096418
Publication Date: 11.01.2018 International Filing Date: 23.08.2016
IPC:
H03F 1/56 (2006.01) ,H03F 3/21 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
F
AMPLIFIERS
1
Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56
Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
F
AMPLIFIERS
3
Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
20
Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
21
with semiconductor devices only
Applicants: CHENGDU TIGER MICROWAVE TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No.18 Xinwen Road, High-Tech Zone (West) Chengdu, Sichuan 611731, CN
Inventors: XU, Huan; CN
Agent: CHENGDU JINYING PATENT FIRM; 12/F, Bldg 1, Xihuan Plaza No.489, The Third Guanghua Eastern Road, Qingyang District Chengdu, Sichuan 610072, CN
Priority Data:
201610521322.X05.07.2016CN
Title (EN) 2.7-3.5 GHZ 2W GAN MONOLITHIC POWER AMPLIFIER AND DESIGN METHOD THEREOF
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE GAN DE 2,7 À 3,5 GHZ, 2W, ET SON PROCÉDÉ DE CONCEPTION
(ZH) 2.7-3.5 GHz 2W GaN单片功率放大器及设计方法
Abstract:
(EN) Disclosed are a 2.7-3.5 GHz 2W GaN monolithic power amplifier and a design method thereof. The amplifier comprises an input matching network, an interstage matching network, an output matching network, and a pHEMT transistor. The input matching network is connected to the interstage matching network by means of the pHEMT transistor. The interstage matching network is connected to the output matching network by means of the pHEMT transistor. A gate bias power supply is respectively connected to the input matching network and the interstage matching network. A drain bias power supply is respectively connected to the interstage matching network and the output matching network. The design method addresses the difficulties of designing a modular circuit, is much smaller than a traditional hybrid integrated circuit, determines an optimal load impedance and an optimal source impedance of a chip, provides a circuit diagram associated with the input, output and interstage matching networks, optimizes parameters, including a stability coefficient, an input and output standing wave system, a gain, a power, efficiency and harmonic suppression, and provides a layout for a monolithic microwave power amplifier.
(FR) L'invention concerne un amplificateur de puissance monolithique GaN de 2,7 à 3,5 GHz, 2W; et son procédé de conception. L'amplificateur comprend un réseau d'adaptation d'entrée, un réseau d'adaptation inter-étage, un réseau d'adaptation de sortie et un transistor pHEMT. Le réseau d'adaptation d'entrée est connecté au réseau d'adaptation inter-étage au moyen du transistor pHEMT. Le réseau d'adaptation inter-étage est connecté au réseau d'adaptation de sortie au moyen du transistor pHEMT. Une alimentation de polarisation par courant de grille est connectée respectivement au réseau d'adaptation d'entrée et au réseau d'adaptation inter-étage. Une alimentation de polarisation d'adaptation par courant de drain inter-étage est connectée respectivement au réseau d'adaptation inter-étage et au réseau d'adaptation de sortie. Le procédé de conception apporte une solution aux difficultés de conception d'un circuit modulaire; est beaucoup plus petit qu'un circuit intégré hybride classique; détermine une impédance de charge optimale et une impédance de source optimale d'une puce; fournit un schéma de câblage associé au réseau d'entrée, au réseau de sortie et au réseau d'adaptation inter-étage; optimise les paramètres, y compris un coefficient de stabilité, un système d'onde stationnaire d'entrée et de sortie, un gain, une puissance, une efficacité et un filtre d'harmoniques; et fournit une topologie d'amplificateur de puissance hyperfréquence monolithique.
(ZH) 一种2.7-3.5GHz 2W GaN单片功率放大器及设计方法,该放大器包括输入匹配网络、级间匹配网络、输出匹配网络及PHEMT晶体管,输入匹配网络通过PHEMT晶体管与级间匹配网络相连,级间匹配网络通过PHEMT晶体管与输出匹配网络相连,栅极偏置电源分别与输入匹配网络和级间匹配网络相连,漏极偏置电源分别与级间匹配网络和输出匹配网络相连。该设计方法简化了模块电路的设计难度,相比传统混合集成电路尺寸明显减小,确定了管芯的最佳负载阻抗和最佳源阻抗,并且设计了输入、输出和级间匹配网络的电路原理图,优化了稳定系数、输入输出驻波系统、增益、功率、效率、谐波抑制等指标,设计了单片微波功率放大器的版图。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)