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1. (WO2018005871) ENHANCING MEMORY YIELD AND INTEGRATED CIRCUIT PERFORMANCE THROUGH NANOWIRE SELF-HEATING
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Pub. No.:    WO/2018/005871    International Application No.:    PCT/US2017/040113
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 29.06.2017
Chapter 2 Demand Filed:    27.04.2018    
IPC:
G11C 29/44 (2006.01), G11C 5/06 (2006.01)
Applicants: SYNOPSYS, INC. [US/US]; 690 E. Middlefield Road Mountain View, California 94043 (US)
Inventors: KAWA, Jamil; (US).
MOROZ, Victor; (US)
Agent: WOLFELD, Warren S.; (US)
Priority Data:
62/357,897 01.07.2016 US
62/357,892 01.07.2016 US
62/384,337 07.09.2016 US
15/634,906 27.06.2017 US
15/634,845 27.06.2017 US
Title (EN) ENHANCING MEMORY YIELD AND INTEGRATED CIRCUIT PERFORMANCE THROUGH NANOWIRE SELF-HEATING
(FR) AMÉLIORATION DU RENDEMENT DE MÉMOIRE ET DES PERFORMANCES D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ PAR AUTO-ÉCHAUFFEMENT DE NANOFILS
Abstract: front page image
(EN)A method for improving an integrated circuit design which has transistors with nanowire channels comprises identifying a particular device having a particular transistor with a nanowire channel; and adding to the integrated circuit design circuitry which, when activated, repairs the particular transistor by self-heating. The method can comprise determining a memory cell that has a read current below a passing criteria, the memory cell having a transistor with a nanowire channel on a current path through which the read current flows; and applying a stress on the memory cell to repair the nanowire channel of the transistor in the memory cell on the current path. The determining step can include sensing read currents of memory cells in an array of memory cells; and determining one or more memory cells in the array of memory cells having read currents below the passing criteria, using the read currents sensed.
(FR)L'invention concerne un procédé pour améliorer une conception de circuit intégré possédant des transistors avec des canaux à nanofils, ledit procédé consiste à : identifier un dispositif particulier ayant un transistor particulier avec un canal à nanofils ; et ajouter au circuit intégré de conception du circuit, lequel, lorsqu'il est activé, répare le transistor particulier par auto-échauffement. Le procédé peut comprendre la détermination d'une cellule de mémoire qui a un courant de lecture inférieur à un critère de passage, la cellule de mémoire ayant un transistor avec un canal de nanofil sur un trajet de courant à travers lequel le courant de lecture circule ; et l'application d'une contrainte sur la cellule de mémoire pour réparer le canal de nanofil du transistor dans la cellule de mémoire sur le trajet de courant. L'étape de détermination peut consister à détecter des courants de lecture de cellules de mémoire dans un réseau de cellules de mémoire ; et à déterminer une ou plusieurs cellules de mémoire dans le réseau de cellules de mémoire ayant des courants de lecture inférieurs aux critères de passage, à l'aide des courants de lecture détectés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)