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1. (WO2018005401) INORGANIC WAFER HAVING THROUGH-HOLES ATTACHED TO SEMICONDUCTOR WAFER
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Pub. No.:    WO/2018/005401    International Application No.:    PCT/US2017/039357
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 27.06.2017
IPC:
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01), H01L 23/15 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01)
Applicants: CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US)
Inventors: LEVESQUE, Daniel Wayne, Jr.; (US).
PIECH, Garrett Andrew; (US).
SHOREY, Aric Bruce; (US)
Agent: HARAN, John T; (US)
Priority Data:
62/356,067 29.06.2016 US
Title (EN) INORGANIC WAFER HAVING THROUGH-HOLES ATTACHED TO SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PLAQUETTE INORGANIQUE AYANT TROUS TRAVERSANTS FIXÉS SUR UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A process comprises bonding a semiconductor wafer to an inorganic wafer. The semiconductor wafer is opaque to a wavelength of light to which the inorganic wafer is transparent. After the bonding, a damage track is formed in the inorganic wafer using a laser that emits the wavelength of light. The damage track in the inorganic wafer is enlarged to form a hole through the inorganic wafer by etching. The hole terminates at an interface between the semiconductor wafer and the inorganic wafer. An article is also provided, comprising a semiconductor wafer bonded to an inorganic wafer. The semiconductor wafer is opaque to a wavelength of light to which the inorganic wafer is transparent. The inorganic wafer has a hole formed through the inorganic wafer. The hole terminates at an interface between the semiconductor wafer and the inorganic wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé qui consiste à lier une plaquette de semi-conducteur à une plaquette inorganique. La plaquette de semi-conducteur est opaque à une longueur d'onde de lumière à laquelle la plaquette inorganique est transparente. Après la liaison, une piste endommagée est formée dans la plaquette inorganique à l'aide d'un laser qui émet la longueur d'onde de la lumière. La piste endommagée dans la plaquette inorganique est agrandie pour former un trou à travers la plaquette inorganique par gravure. Le trou se termine au niveau d'une interface entre la plaquette de semi-conducteur et la plaquette inorganique. L'invention concerne également un article comprenant une plaquette de semi-conducteur liée à une plaquette inorganique. La plaquette de semi-conducteur est opaque à une longueur d'onde de lumière à laquelle la plaquette inorganique est transparente. Un trou est formé à travers la plaquette inorganique. Le trou se termine au niveau d'une interface entre la plaquette de semi-conducteur et la plaquette inorganique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)