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1. (WO2018005100) APPARATUSES, METHODS, AND SYSTEMS FOR PACKAGE ON PACKAGE MEMORY REFRESH AND SELF-REFRESH RATE MANAGEMENT
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Pub. No.: WO/2018/005100 International Application No.: PCT/US2017/037514
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 14.06.2017
IPC:
G11C 11/406 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21
using electric elements
34
using semiconductor devices
40
using transistors
401
forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
406
Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
MAN, Xiuting C.; US
KULICK, Stanley S.; US
Agent:
SIMMONS, Scott A.; US
Priority Data:
15/195,98228.06.2016US
Title (EN) APPARATUSES, METHODS, AND SYSTEMS FOR PACKAGE ON PACKAGE MEMORY REFRESH AND SELF-REFRESH RATE MANAGEMENT
(FR) APPAREILS, PROCÉDÉS ET SYSTÈMES POUR RAFRAÎCHISSEMENT DE MÉMOIRE DE STRUCTURE BOÎTIER SUR BOÎTIER ET GESTION DE LA FRÉQUENCE DE RAFRAÎCHISSEMENT AUTOMATIQUE
Abstract:
(EN) Methods, systems, and apparatuses relating to package on package memory refresh and self-refresh rate management are described. In one embodiment, an apparatus includes a processor die, a dynamic memory die mounted to and overlapping the processor die, a first thermal sensor of the processor die disposed adjacent to a first hot spot from a first type of workload and a second thermal sensor of the processor die disposed adjacent to a second hot spot from a second type of workload, and a hardware control circuit of the processor die to cause a refresh of a capacitor of the dynamic memory die when either of an output of the first thermal sensor exceeds a first threshold value and an output of the second thermal sensor exceeds a second threshold value.
(FR) L'invention concerne des procédés, des systèmes et des appareils portant sur le rafraîchissement de mémoire de structure boîtier sur boîtier et la gestion de la fréquence de rafraîchissement automatique. Dans un mode de réalisation, un appareil comprend une puce de processeur, une puce de mémoire dynamique montée sur la puce de processeur et chevauchant celle-ci, un premier capteur thermique de la puce de processeur disposé à côté d'un premier point chaud à partir d'un premier type de charge de travail et un second capteur thermique de la puce de processeur disposé à côté d'un second point chaud à partir d'un second type de charge de travail, et un circuit de commande de matériel de la puce de processeur pour provoquer un rafraîchissement d'un condensateur de la matrice de mémoire dynamique lorsque l'une ou l'autre d'une sortie du premier capteur thermique dépasse une première valeur seuil et une sortie du second capteur thermique dépasse une seconde valeur seuil.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)