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1. (WO2018004973) DIAMOND LIKE CARBON LAYER FORMED BY AN ELECTRON BEAM PLASMA PROCESS
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Pub. No.:    WO/2018/004973    International Application No.:    PCT/US2017/035434
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 01.06.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: YANG, Yang; (US).
CHEN, Lucy; (US).
ZHOU, Jie; (US).
RAMASWAMY, Kartik; (US).
COLLINS, Kenneth S.; (US).
NEMANI, Srinivas D.; (US).
YING, Chentsau; (US).
LIU, Jingjing; (US).
LANE, Steven; (US).
MONROY, Gonzalo; (US).
CARDUCCI, James D.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; (US).
TABOADA, Keith; (US)
Priority Data:
15/195,640 28.06.2016 US
Title (EN) DIAMOND LIKE CARBON LAYER FORMED BY AN ELECTRON BEAM PLASMA PROCESS
(FR) COUCHE DE CARBONE DE TYPE DIAMANT FORMÉE PAR UN PROCÉDÉ AU PLASMA À FAISCEAU D'ÉLECTRONS
Abstract: front page image
(EN)Methods for forming a diamond like carbon layer with desired film density, mechanical strength and optical film properties are provided. In one embodiment, a method of forming a diamond like carbon layer includes generating an electron beam plasma above a surface of a substrate disposed in a processing chamber, and forming a diamond like carbon layer on the surface of the substrate. The diamond like carbon layer is formed by an electron beam plasma process, wherein the diamond like carbon layer serves as a hardmask layer in an etching process in semiconductor applications. The diamond like carbon layer may be formed by bombarding a carbon containing electrode disposed in a processing chamber to generate a secondary electron beam in a gas mixture containing carbon to a surface of a substrate disposed in the processing chamber, and forming a diamond like carbon layer on the surface of the substrate from elements of the gas mixture.
(FR)L'invention concerne des procédés de formation d'une couche de carbone de type diamant présentant une densité de film, une résistance mécanique et des propriétés de film optique souhaitées. Selon un mode de réalisation, un procédé de formation d'une couche de carbone de type diamant consiste à générer un plasma à faisceau d'électrons au-dessus d'une surface d'un substrat disposé dans une chambre de traitement, et à former une couche de carbone de type diamant sur la surface du substrat. La couche de carbone de type diamant est formée par un procédé au plasma à faisceau d'électrons, la couche de carbone de type diamant servant de couche de masque dur dans un procédé de gravure dans des applications de semi-conducteur. La couche de carbone de type diamant peut être formée en bombardant une électrode contenant du carbone disposée dans une chambre de traitement pour générer un faisceau d'électrons secondaire dans un mélange gazeux contenant du carbone sur une surface d'un substrat disposé dans la chambre de traitement, et en formant une couche de carbone de type diamant sur la surface du substrat à partir d'éléments du mélange gazeux.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)