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1. (WO2018004753) WEAK ERASE PRIOR TO READ
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Pub. No.: WO/2018/004753 International Application No.: PCT/US2017/019591
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 27.02.2017
IPC:
G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34
Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26
Sensing or reading circuits; Data output circuits
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC[US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventors: PANG, Liang; US
DONG, Yingda; US
YU, Xuehong; US
REN, Jingjian; US
Agent: MAGEN, Burt; US
Priority Data:
15/198,22830.06.2016US
Title (EN) WEAK ERASE PRIOR TO READ
(FR) EFFACEMENT FAIBLE AVANT LECTURE
Abstract:
(EN) Techniques are disclosed for accurately sensing memory cells without having to wait for a voltage that creeps up on word line after a sensing operation to die down. The word line creep up could cause electrons to trap in shallow interface traps of a memory cell, hence impacting its threshold voltage. In one aspect, trapped electrons are removed (e.g., de-trapped) from shallow interface traps of a memory cell using a weak erase operation. Therefore, problems associated with word line voltage creep up are reduced or prevented. Thus, the memory cell can be sensed without waiting, while still providing an accurate result. The weak erase could be part of a sensing operation, but that is not required. For example, the weak erase could be incorporated into the beginning part of a read operation, which provides for a very efficient solution.
(FR) L'invention concerne des techniques permettant de détecter avec précision des cellules de mémoire sans devoir attendre une tension qui flue vers le haut sur la ligne de mots après qu'une opération de détection ait été effectuée. Le fluage de la ligne de mots peut entraîner le piégeage d'électrons dans des pièges d'interface peu profonds d'une cellule de mémoire, ce qui a pour effet d'affecter sa tension de seuil. Dans un mode de réalisation, les électrons piégés sont supprimés (par exemple, dé-piégés) à partir de pièges d'interface peu profonds d'une cellule de mémoire à l'aide d'une opération d'effacement faible. De ce fait, les problèmes associés au fluage de tension de ligne de mots sont réduits ou évités. Ainsi, la cellule de mémoire peut être détectée sans attendre, tout en fournissant un résultat précis. L'effacement faible peut faire partie d'une opération de détection, mais n'est pas nécessaire. Par exemple, l'effacement faible peut être intégré au début d'une opération de lecture, ce qui permet d'obtenir une solution très efficace.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)