WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018004699) LINED PHOTOBUCKET STRUCTURE FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECT FORMATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2018/004699    International Application No.:    PCT/US2016/040876
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 01.07.2016
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: BLACKWELL, James M.; (US).
BRISTOL, Robert L.; (US).
KRYSAK, Marie; (US).
GSTREIN, Florian; (US).
HAN, Eungnak; (US).
LIN, Kevin L.; (US).
HOURANI, Rami; (US).
HARLSON, Shane M.; (US)
Agent: BRASK, Justin, K.; (US)
Priority Data:
Title (EN) LINED PHOTOBUCKET STRUCTURE FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECT FORMATION
(FR) STRUCTURE DE PHOTOBUCKET ALIGNÉE POUR LA FORMATION D'INTERCONNEXIONS DE FIN DE LIGNE (BEOL)
Abstract: front page image
(EN)Lined photoresist structures to facilitate fabricating back end of line (BEOL) interconnects are described. In an embodiment, a hard mask has recesses formed therein, wherein liner structures are variously disposed each on a sidewall of a respective recess. Photobuckets comprising photoresist material are also variously disposed in the recesses. The liner structures variously serve as marginal buffers to mitigate possible effects of misalignment in the exposure of photoresist material to photons or an electron beam. In another embodiment, a recess has disposed therein a liner structure and a photobucket that are both formed by self-assembly of a photoresist-based block-copolymer.
(FR)L'invention porte sur des structures de résine photosensible alignées pour faciliter la fabrication d'interconnexions de fin de ligne (BEOL). Dans un mode de réalisation, un masque dur comporte des renfoncements formés en son sein, les structures de revêtement étant disposées de manière variée chacune sur une paroi latérale d'un renfoncement respectif. Des photobuckets comprenant un matériau de résine photosensible sont également disposés de différentes manières dans les renfoncements. Les structures de revêtement servent de tampons marginaux pour limiter les effets possibles du mauvais alignement dans l'exposition du matériau de résine photosensible à des photons ou à un faisceau d'électrons. Dans un autre mode de réalisation, un renfoncement contient en son sein une structure de revêtement et un photobucket qui sont tous deux formés par auto-assemblage d'un copolymère séquencé à base de résine photosensible.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)