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1. (WO2018004667) TWO TRANSISTOR MEMORY CELL USING HIGH MOBILITY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS
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Pub. No.:    WO/2018/004667    International Application No.:    PCT/US2016/040764
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 01.07.2016
IPC:
H01L 27/11 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 MIssion College Blvd. Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: LE, Van H.; (US).
DEWEY, Gilbert William; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US).
RIOS, Rafael; (US).
KAVALIEROS, Jack T.; (US).
SHIVARAMAN, Shriram; (US).
METERELLIYOZ, Mesut; (US)
Agent: BRASK, Justin, K.; (US)
Priority Data:
Title (EN) TWO TRANSISTOR MEMORY CELL USING HIGH MOBILITY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE À DEUX TRANSISTORS UTILISANT DES SEMI-CONDUCTEURS À OXYDE MÉTALLIQUE À HAUTE MOBILITÉ
Abstract: front page image
(EN)A two transistor memory cell is described that uses high mobility amorphous oxide semiconductors. In one example, a sensing transistor has a source and a drain in a first metal layer and a gate between the source and the drain. The gate has a channel formed of a metal oxide semiconductor. A charging transistor has a source and a drain in a second metal layer and a gate channel also formed of metal oxide semiconductor, wherein the source of the charging transistor is coupled to the gate of the sensing transistor, and a gate electrode in a third metal layer is coupled to the gate of the charging transistor.
(FR)L'invention porte sur une cellule de mémoire à deux transistors qui utilise des semi-conducteurs à oxyde amorphe à haute mobilité. Dans un exemple, un transistor de détection présente une source et un drain dans une première couche métallique et une grille entre la source et le drain. La grille comporte un canal constitué d'un semi-conducteur à oxyde métallique. Un transistor de charge comporte une source et un drain dans une deuxième couche métallique et un canal de grille également constitué d'un semi-conducteur à oxyde métallique, la source du transistor de charge étant couplée à la grille du transistor de détection, et une électrode de grille dans une troisième couche métallique étant couplée à la grille du transistor de charge.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)