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1. (WO2018004652) FRONT-END TUNNEL JUNCTION DEVICE PLUS BACK-END TRANSISTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/004652    International Application No.:    PCT/US2016/040686
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 01.07.2016
IPC:
H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: KUO, Charles C.; (US).
OGUZ, Kaan; (US).
DOCZY, Mark L.; (US).
DOYLE, Brian S.; (US).
O'BRIEN, Kevin P.; (US)
Agent: BRODSKY, Stephen I.; (US)
Priority Data:
Title (EN) FRONT-END TUNNEL JUNCTION DEVICE PLUS BACK-END TRANSISTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À JONCTION TUNNEL FRONTAL PLUS DISPOSITIF À TRANSISTOR DORSAL
Abstract: front page image
(EN)Techniques are disclosed for forming an integrated circuit (IC) including a front-end tunnel junction device plus a back-end transistor or transistor-based device. For ease of reference, the combination of the two devices may be referred to herein as a "1T-1TJ" configuration, where the "1T" portion represents the back-end transistor or transistor-based device and the "1TJ" portion represents the front-end tunnel junction device. As will be apparent in light of this disclosure, in some embodiments, 1T-1TJ configuration can be used for memory applications, where the front-end tunnel junction device can be used as the switching element to store data (e.g., a '1' or '0') and the back-end transistor or transistor-based device can be used to write and/or read the tunnel junction switching element. Benefits can be derived from forming the tunnel junction device during front-end IC processing. Other embodiments may be described and/or disclosed.
(FR)L'invention concerne des techniques de formation d'un circuit intégré (CI) comprenant un dispositif à jonction tunnel frontal plus un transistor ou dispositif à base de transistor dorsal. Pour plus de commodité, la combinaison des deux dispositifs peut être appelée configuration "1T-1TJ" dans la description, la partie "1T" représentant le transistor ou dispositif à base de transistor dorsal et la partie "1TJ" représentant le dispositif à jonction tunnel frontal. Comme il ressortira de cette description, dans certains modes de réalisation, une configuration 1T-1TJ peut être utilisée pour des applications de mémoire, le dispositif à jonction tunnel frontal pouvant être utilisé comme élément de commutation pour stocker des données (par exemple, un '1' ou un '0') et le transistor ou dispositif à base de transistor dorsal pouvant être utilisé pour écrire et/ou lire l'élément de commutation à jonction tunnel. Des avantages peuvent être tirés de la formation du dispositif à jonction à effet tunnel pendant le traitement du circuit intégré frontal. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou divulgués.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)