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1. (WO2018004651) CAPACITOR INCLUDING MULTILAYER DIELECTRIC STACK
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Pub. No.:    WO/2018/004651    International Application No.:    PCT/US2016/040684
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 01.07.2016
IPC:
H01L 49/02 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: THEN, Han Wui; (US).
DASGUPTA, Sansaptak; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US)
Agent: BRODSKY, Stephen I.; (US)
Priority Data:
Title (EN) CAPACITOR INCLUDING MULTILAYER DIELECTRIC STACK
(FR) CONDENSATEUR COMPRENANT UN EMPILEMENT DIÉLECTRIQUE MULTICOUCHE
Abstract: front page image
(EN)Techniques are disclosed for forming an integrated circuit including a capacitor having a multilayer dielectric stack. For example, the capacitor may be a metal-insulator-metal capacitor (MIMcap), where the stack of dielectric layers is used for the insulator or 'I' portion of the MIM structure. In some cases, the composite or multilayer stack for the insulator portion of the MIM structure may include a first oxide layer, a dielectric layer, a second oxide layer, and a high-k dielectric layer, as will be apparent in light of this disclosure. Further, the multilayer dielectric stack may include an additional high-k dielectric layer, for example. Use of such multilayer dielectric stacks can enable increases in capacitance density and/or breakdown voltage for a MIMcap device. Further, use of a multilayer dielectric stack can enable tuning of the breakdown and capacitance characteristics as desired. Other embodiments may be described and/or disclosed.
(FR)L'invention porte sur des techniques permettant de former un circuit intégré comprenant un condensateur ayant un empilement diélectrique multicouche. Par exemple, le condensateur peut être un condensateur métal-isolant-métal (MIMcap), l'empilement de couches diélectriques étant utilisé pour l'isolant ou la partie 'I' de la structure MIM. Dans certains cas, l'empilement composite ou multicouche de la partie isolante de la structure MIM peut comprendre une première couche d'oxyde, une couche diélectrique, une seconde couche d'oxyde et une couche diélectrique à forte constante diélectrique, comme cela sera apparent à la lecture de cette description. En outre, l'empilement diélectrique multicouche peut comprendre une couche diélectrique à forte constante diélectrique supplémentaire, par exemple. L'utilisation de ces empilements diélectriques multicouches peut permettre des augmentations de la densité de capacité et/ou de la tension de claquage pour un dispositif MIMcap. En outre, l'utilisation d'un empilement diélectrique multicouche peut permettre l'accord des caractéristiques de claquage et de capacité selon les besoins. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)