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1. (WO2018004634) FLUX BIAS LINES BELOW QUBIT PLANE
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Pub. No.:    WO/2018/004634    International Application No.:    PCT/US2016/040601
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 01.07.2016
IPC:
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549 (US)
Inventors: ROBERTS, Jeanette M.; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US).
YOSCOVITS, Zachary R.; (US).
CLARKE, James S.; (US).
MICHALAK, David J.; (US)
Agent: HARTMANN, Natalya; (US)
Priority Data:
Title (EN) FLUX BIAS LINES BELOW QUBIT PLANE
(FR) LIGNES DE POLARISATION DE FLUX AU-DESSOUS D'UN PLAN QUBIT
Abstract: front page image
(EN)Described herein are structures that include flux bias lines for controlling frequencies of qubits in quantum circuits. An exemplary structure includes a substrate, a qubit provided over a surface of the substrate, and a flux bias line provided below the surface of the substrate and configured to control the frequency of the qubit via a magnetic field generated as a result of a current flowing through the flux bias line. Methods for fabricating such structures are disclosed as well.
(FR)L'invention concerne des structures qui comprennent des lignes de polarisation de flux pour contrôler les fréquences de qubits dans des circuits quantiques. Une structure donnée à titre d'exemple comprend un substrat, un qubit disposé sur une surface du substrat, et une ligne de polarisation de flux située sous la surface du substrat et configurée pour contrôler la fréquence de qubit par l'intermédiaire d'un champ magnétique généré en raison d'un courant circulant à travers la ligne de polarisation de flux. Des procédés de fabrication de tels dispositifs sont également décrits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)