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1. (WO2018004625) CONDUCTIVE BRIDGE RANDOM ACCESS MEMORY (CBRAM) DEVICES WITH ENGINEERED SIDEWALLS FOR FILAMENT LOCALIZATION
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Pub. No.: WO/2018/004625 International Application No.: PCT/US2016/040551
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 30.06.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
MAJHI, Prashant; US
KARPOV, Elijah V.; US
SHAH, Uday; US
PILLARISETTY, Ravi; US
MUKHERJEE, Niloy; US
BIELEFELD, Jeffery D.; US
INDUKURI, Tejaswi K.; US
CLARKE, James S.; US
Agent:
BRASK, Justin, K.; US
Priority Data:
Title (EN) CONDUCTIVE BRIDGE RANDOM ACCESS MEMORY (CBRAM) DEVICES WITH ENGINEERED SIDEWALLS FOR FILAMENT LOCALIZATION
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE Á PONT CONDUCTEUR (CBRAM) AVEC INGÉNIERIE DES PAROIS LATÉRALES POUR LA LOCALISATION DE FILAMENT
Abstract:
(EN) Approaches for fabricating conductive bridge random access memory (CBRAM) devices with engineered sidewalls for filament localization, and the resulting structures and devices, are described. In an example, a conductive bridge random access memory (CBRAM) device includes a conductive interconnect disposed in an inter-layer dielectric (ILD) layer disposed above a substrate. The CBRAM device also includes a CBRAM element disposed on the conductive interconnect. The CBRAM element includes a first electrode layer disposed on the uppermost surface of the conductive interconnect. A resistance switching layer is disposed on the first electrode layer. The resistance switching layer includes an electrolyte material having doped regions at outermost ends of the electrolyte material but not in a central portion of the electrolyte material. A metal ion source layer is disposed on the resistance switching layer. A second electrode layer is disposed on the metal ion source layer.
(FR) L'invention porte sur des approches de fabrication de dispositifs de mémoire vive à pont conducteur (CBRAM) avec ingénierie des parois latérales pour la localisation de filaments, et sur les structures et dispositifs résultants. Dans un exemple, un dispositif de mémoire vive à pont conducteur (CBRAM) comprend une interconnexion conductrice disposée dans une couche diélectrique inter-couche (ILD) disposée au-dessus d'un substrat. Le dispositif CBRAM comprend également un élément CBRAM disposé sur l'interconnexion conductrice. L'élément CBRAM comprend une première couche d'électrode disposée sur la surface supérieure de l'interconnexion conductrice. Une couche de commutation de résistance est disposée sur la première couche électrode. La couche de commutation de résistance comprend un matériau électrolyte ayant des régions dopées aux extrémités les plus à l'extérieur du matériau électrolyte mais pas dans une portion centrale du matériau électrolyte. Une couche de source d'ions métalliques est disposée sur la couche de commutation de résistance. Une deuxième couche électrode () est disposée sur la couche source d'ion métallique.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)