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1. (WO2018004618) HIGH DENSITY ORGANIC INTERCONNECT STRUCTURES
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Pub. No.:    WO/2018/004618    International Application No.:    PCT/US2016/040481
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 30.06.2016
IPC:
H01L 23/00 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/14 (2006.01)
Applicants: CHAVALI, Sri Chaitra Jyotsna [IN/US]; (US).
ALUR, Siddharth K. [IN/US]; (US).
MAY, Lilia [US/US]; (US).
SCHUCKMAN, Amanda E. [US/US]; (US)
Inventors: CHAVALI, Sri Chaitra Jyotsna; (US).
ALUR, Siddharth K.; (US).
MAY, Lilia; (US).
SCHUCKMAN, Amanda E.; (US)
Agent: PERDOK, Monique M.; (US)
Priority Data:
Title (EN) HIGH DENSITY ORGANIC INTERCONNECT STRUCTURES
(FR) STRUCTURES D'INTERCONNEXION ORGANIQUES À HAUTE DENSITÉ
Abstract: front page image
(EN)Generally discussed herein are systems, devices, and methods that include an organic high density interconnect structure and techniques for making the same. According to an example a method can include forming one or more low density buildup layers on a core, conductive interconnect material of the one or more low density buildup layers electrically and mechanically connected to conductive interconnect material of the core, forming one or more high density buildup layers on an exposed low density buildup layer of the one or more low density buildup layers, conductive interconnect material of the high density buildup layers electrically and mechanically connected to the conductive interconnect material of the one or more low density buildup layers, and forming another low density buildup layer on and around an exposed high density buildup layer of the one or more high density buildup layers.
(FR)D'une manière générale, la présente invention concerne des systèmes, des dispositifs et des procédés qui comprennent une structure d'interconnexion organique à haute densité, et des techniques permettant de fabriquer ladite structure. Selon un exemple de l'invention, un procédé peut consister à former au moins une couche d'accumulation de faible densité sur un noyau, un matériau d'interconnexion conducteur de ladite couche d'accumulation de faible densité étant connecté électriquement et mécaniquement à un matériau d'interconnexion conducteur du noyau ; à former au moins une couche d'accumulation de haute densité sur une couche d'accumulation de faible densité exposée de ladite couche d'accumulation de faible densité, un matériau d'interconnexion conducteur de ladite couche d'accumulation de haute densité étant connecté électriquement et mécaniquement au matériau d'interconnexion conducteur de ladite couche d'accumulation de faible densité ; et à former une autre couche d'accumulation de faible densité sur une couche exposée de ladite couche d'accumulation de haute densité et autour de cette dernière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)