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1. (WO2018004588) APPROACHES FOR FABRICATING BACK END OF LINE (BEOL)-COMPATIBLE RRAM DEVICES AND THE RESULTING STRUCTURES
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Pub. No.:    WO/2018/004588    International Application No.:    PCT/US2016/040302
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 30.06.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: MAJHI, Prashant; (US).
INDUKURI, Tejaswi K.; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US).
SHAH, Uday; (US).
MUKHERJEE, Niloy; (US).
KARPOV, Elijah V.; (US).
CLARKE, James S.; (US)
Agent: BRASK, Justin, K.; (US)
Priority Data:
Title (EN) APPROACHES FOR FABRICATING BACK END OF LINE (BEOL)-COMPATIBLE RRAM DEVICES AND THE RESULTING STRUCTURES
(FR) APPROCHES POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS RRAM COMPATIBLES AVEC LA FIN DE LIGNE (BEOL) ET STRUCTURES AINSI OBTENUES
Abstract: front page image
(EN)Approaches for fabricating back end of line (BEOL)-compatible resistive random access memory (RRAM) elements and devices, and the resulting structures, are described. In an example, a resistive random access memory (RRAM) device includes a conductive interconnect disposed in an inter-layer dielectric (ILD) layer disposed above a substrate. The ILD layer has an uppermost surface substantially co-planar with an uppermost surface of the conductive interconnect. An RRAM element is disposed on the conductive interconnect. The RRAM element includes a first electrode layer disposed on the uppermost surface of the conductive interconnect, a resistance switching layer disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the resistance switching layer. An insulating metal oxide layer is disposed on the uppermost surface of the ILD layer and laterally adjacent to and in contact with the first electrode layer.
(FR)L'invention porte sur des approches pour la fabrication d'éléments et de dispositifs de mémoire vive résistive (RRAM) compatibles avec la fin de ligne (BEOL), et sur les structures ainsi obtenues. Dans un exemple, un dispositif de mémoire vive résistive (RRAM) comprend une interconnexion conductrice disposée dans une couche de diélectrique intercouche (ILD) disposée au-dessus d'un substrat. La couche ILD présente une surface supérieure sensiblement coplanaire avec une surface supérieure de l'interconnexion conductrice. Un élément RRAM est disposé sur l'interconnexion conductrice. L'élément RRAM comprend une première couche d'électrode disposée sur la surface supérieure de l'interconnexion conductrice, une couche à changement de résistance disposée sur la première couche d'électrode, et une seconde couche d'électrode disposée sur la couche à changement de résistance. Une couche d'oxyde métallique isolante est disposée sur la surface supérieure de la couche ILD et latéralement adjacente à la première couche d'électrode et en contact avec celle-ci.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)