(EN) A constant transconductance current source according to the present embodiment comprises: a modified cascode circuit of a first-conductive MOS transistor; and a current mirror circuit of a second-conductive MOS transistor, connected to the modified cascode circuit, wherein, in the modified cascode circuit, first and second transistors having connected gate electrodes and third and fourth transistors having connected gate electrodes are cascode-connected, the gate electrodes of the first and second transistors are connected to a drain electrode of the fourth transistor, and a bias voltage is provided to the gate electrodes of the third and fourth transistors.
(FR) Selon la présente invention, une source de courant à transconductance constante comprend : un circuit cascode modifié d'un transistor MOS de première conductivité ; et un circuit miroir de courant d'un transistor MOS de seconde conductivité, connecté au circuit cascode modifié. Dans le circuit cascode modifié, des premier et deuxième transistors pourvus d'électrodes de grille connectées et des troisième et quatrième transistors pourvus d'électrodes de grille connectées sont connectés en cascade. Les électrodes de grille des premier et deuxième transistors sont connectées à une électrode de drain du quatrième transistor. Une tension de polarisation est appliquée aux électrodes de grille des troisième et quatrième transistors.
(KO) 본 실시예에 의한 콘스탄트 트랜스 컨덕턴스 전류 소스는 제1 도전형 MOS 트랜지스터의 모디파이드 캐스코드(modified cascode) 회로 및 모디파이드 캐스코드 회로와 연결된 제2 도전형 MOS 트랜지스터의 전류 미러 회로를 포함하며, 모디파이드 캐스코드 회로는, 게이트(gate) 전극이 서로 연결된 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터와, 게이트(gate) 전극이 서로 연결된 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터가 캐스코드(cascode)로 연결되고, 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터의 게이트 전극이 제4 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되며, 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터의 게이트 전극에는 바이어스 전압이 제공된다.