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1. (WO2018004008) OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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Pub. No.:    WO/2018/004008    International Application No.:    PCT/JP2017/024274
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 30.06.2017
IPC:
H01L 21/365 (2006.01), C01G 55/00 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 33/02 (2010.01)
Applicants: FLOSFIA INC. [JP/JP]; 1-36, Goryoohara, Nishikyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158245 (JP)
Inventors: TANIKAWA Tomochika; (JP).
HITORA Toshimi; (JP)
Priority Data:
2016-131158 30.06.2016 JP
Title (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) FILM SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 酸化物半導体膜及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: a novel and useful oxide semiconductor film which has good p-type semiconductor characteristics; and a method for producing this oxide semiconductor film. According to the present invention, a mist is formed by atomizing a starting material solution that contains a group 9 metal (rhodium, iridium, cobalt or the like) and/or a group 13 metal (indium, aluminum, gallium or the like) of the periodic table and a p-type dopant (magnesium or the like), and subsequently, after carrying the mist to the vicinity of the surface of a base with use of a carrier gas, an oxide semiconductor film is formed on the base by subjecting the mist to a thermal reaction in an oxygen atmosphere in the vicinity of the base surface.
(FR)L'invention concerne : un nouveau film semi-conducteur d'oxyde utile qui présente de bonnes caractéristiques de semi-conducteur de type p; et un procédé de production de ce film semi-conducteur d'oxyde. Selon la présente invention, un brouillard est formé par atomisation d'une solution de matériau de départ qui contient un métal du groupe 9 (rhodium, iridium, cobalt ou similaire) et/ou un métal du groupe 13 (indium, aluminium, gallium ou similaire) du tableau périodique et un dopant de type p (magnésium ou similaire), puis, après transport du brouillard à proximité de la surface d'une base à l'aide d'un gaz porteur, un film semi-conducteur d'oxyde est formé sur la base en soumettant le brouillard à une réaction thermique dans une atmosphère d'oxygène à proximité de la surface de base.
(JA)良好なp型半導体特性を有する新規かつ有用な酸化物半導体膜とその製造方法を提供する。周期律表の第9族金属(ロジウム、イリジウム、コバルト等)及び/又は第13族金属(インジウム、アルミニウム、ガリウム等)とp型ドーパント(マグネシウム等)とを含む原料溶液を霧化してミストを生成し、ついで、キャリアガスを用いて、基体の表面近傍まで前記ミストを搬送した後、前記ミストを前記基体表面近傍にて酸素雰囲気下で熱反応させることにより、前記基体上に酸化物半導体膜を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)