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Pub. No.:    WO/2018/003591    International Application No.:    PCT/JP2017/022628
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 20.06.2017
H01B 1/22 (2006.01), C03C 8/18 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Applicants: NAMICS CORPORATION [JP/JP]; 3993, Nigorikawa, Kita-ku, Niigata-shi, Niigata 9503131 (JP)
Inventors: KONNO Seiya; (JP)
Agent: TSUKUNI & ASSOCIATES; Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083 (JP).
YAMAMURA Daisuke; (JP)
Priority Data:
2016-128676 29.06.2016 JP
(JA) 導電性ペースト及び太陽電池
Abstract: front page image
(EN)Provided is a conductive paste for forming, in a crystalline silicon solar cell, a bus bar electrode having high adhesion strength onto a passivation film without exerting a detrimental effect on the passivation film such as affecting solar cell properties. This conductive paste is for forming an electrode to be formed on a solar cell passivation film, and contains (A) a conductive particle, (B) an organic vehicle, and (C) a glass frit containing 10 to 30% by mole of Bi2O3 and 5 to 30% by mole of SiO2, the content in glass frit being 0.3 to 2 parts by weight relative to 100 parts by weight of the conductive particle.
(FR)L'invention concerne une pâte conductrice pour former, dans une cellule solaire en silicium cristallin, une électrode de barre omnibus ayant une force d'adhésion élevée sur un film de passivation sans exercer un effet néfaste sur le film de passivation, par exemple en affectant les propriétés de la cellule solaire. Cette pâte conductrice est destinée à former une électrode devant être formée sur un film de passivation de cellule solaire, et contient (A) une particule conductrice, (B) un véhicule organique, et (C) une fritte de verre contenant 10 à 30 % par mole de Bi2O3 et 5 à 30 % par mole de SiO2, la teneur en fritte de verre étant de 0,3 à 2 parties en poids par rapport à 100 parties en poids de la particule conductrice.
(JA)結晶系シリコン太陽電池において、パッシベーション膜に対して太陽電池特性に影響を与えるような悪影響を及ぼさずに、パッシベーション膜に対して高い接着強度を有するバスバー電極を形成するための、導電性ペーストを提供する。 太陽電池のパッシベーション膜上に形成される電極を形成するための導電性ペーストであって、(A)導電性粒子、(B)有機ビヒルク、及び(C)Biを10~30mol%及びSiOを5~30mol%含むガラスフリットを含み、導電性粒子100重量部に対してガラスフリットを0.3~2重量部含む、導電性ペーストである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)