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1. (WO2018003331) FILM FORMING DEVICE, FILM FORMING METHOD, AND STORAGE MEDIUM
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Pub. No.:    WO/2018/003331    International Application No.:    PCT/JP2017/018387
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 16.05.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/54 (2006.01), H01L 21/677 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: KANEKO, Hirofumi; (JP)
Agent: YAYOY PATENT OFFICE; (JP)
Priority Data:
2016-130622 30.06.2016 JP
Title (EN) FILM FORMING DEVICE, FILM FORMING METHOD, AND STORAGE MEDIUM
(FR) DISPOSITIF AINSI QUE PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a technology whereby high through-put can be obtained and contamination of a substrate by particles can be prevented, in a film forming device. [Solution] To configure a film forming device 1 such that: a load lock chamber is formed that comprises a substrate-conveying mechanism 35 that conveys each substrate W to a first processing container 41 and a second processing container 41; and a load lock module 3 is provided connected to the first processing container 41 and the second processing container 41. In addition, to perform processing such that: substrates W are alternately conveyed to the first processing container 41 and the second processing container 41 by the substrate-conveying mechanism 35 and a film forming gas and a cleaning gas are each supplied in parallel to the first processing container 41 and the second processing container 41, respectively.
(FR)L'invention concerne un dispositif de formation de film, et fournit une technique permettant à la fois d'obtenir un flux de production élevé, et d'éviter la salissure d'un substrat par des particules. Ce dispositif de formation de film (1) est configuré de sorte que des chambres à sas de chargement qui sont équipées d'un mécanisme de transport de substrats (35) transportant individuellement des substrat (W), sont formées dans un premier et un second réceptacle de traitement (41, 41), et un module à sas de chargement (3) est agencé de manière connectée au premier et au second réceptacle de traitement (41, 41). Enfin, les substrats (W) sont transportés en alternance dans le premier et le second réceptacle de traitement (41, 41) à l'aide du mécanisme de transport de substrats (35), et un traitement est effectué de sorte qu'un gaz de formation de film et un gaz de nettoyage alimentent chacun en parallèle l'un et l'autre des premier et second réceptacles de traitement (41, 41).
(JA)【課題】成膜装置において、高いスループットを得ると共にパーティクルによる基板の汚染を防ぐことができる技術を提供すること。 【解決手段】第1の処理容器41及び第2の処理容器41に基板Wを各々搬送する基板搬送機構35を備えるロードロック室を形成し、第1の処理容器41及び第2の処理容器41に接続されて設けられるロードロックモジュール3が設けられるように成膜装置1を構成する。そして、基板搬送機構35によって第1の処理容器41及び第2の処理容器41には交互に基板Wが搬送され、第1の処理容器41及び第2の処理容器41の一方、他方に成膜ガス、クリーニングガスが夫々並行して供給されるように処理を行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)