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1. (WO2018003282) ELASTIC WAVE DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/003282 International Application No.: PCT/JP2017/017146
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 01.05.2017
IPC:
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventors: MIMURA, Masakazu; JP
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Priority Data:
2016-12736428.06.2016JP
Title (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abstract: front page image
(EN) Provided is an elastic wave device capable of suppressing deterioration in filter characteristics and loss in a main mode as well as suppressing generation of ripples by a high-order transverse mode. The elastic wave device is equipped with a piezoelectric substrate 2 and an interdigital transducer (IDT) electrode 3. The IDT electrode 3 has first and second bus bars 6a, 6b and multiple first and second electrode fingers 7a, 7b. An intersection region R1 of the IDT electrode 3 has: a central region R2 where the acoustic velocity of an elastic wave is relatively high; and low-acoustic-velocity parts R3, R4 which have a lower acoustic velocity than the central region R2 and which are disposed on both end parts of the central region R2 in the direction in which the electrode fingers extend. When a wavelength determined by the pitch of the electrode fingers of the IDT electrode 3 is defined as λ, the length L1 of a gap between the tip of the first electrode fingers 7a and the second bus bar 6b and the length L2 of a gap between the tip of the second electrode fingers 7b and the first bus bar 6a are between 0.62λ and 0.98λ inclusive.
(FR) Cette invention concerne un dispositif à ondes élastiques capable de supprimer la détérioration des caractéristiques de filtre et la perte dans un mode principal, tout en supprimant la génération d'ondulations par un mode transversal d'ordre élevé. Le dispositif à ondes élastiques est équipé d'un substrat piézoélectrique (2) et d'une électrode de transducteur interdigité (IDT) (3). L'électrode IDT (3) possède une première et une seconde barre omnibus (6a, 6b) et une pluralité de premiers et de seconds doigts d'électrode (7a, 7b). Une région d'intersection R1 de l'électrode IDT (3) comporte : une région centrale R2 où la vitesse acoustique d'une onde élastique est relativement élevée ; et des parties de faible vitesse acoustique R3, R4 qui ont une vitesse acoustique inférieure à la région centrale R2 et qui sont disposées sur les deux parties d'extrémité de la région centrale R2 dans la direction dans laquelle s'étendent les doigts d'électrode. Lorsqu'une longueur d'onde déterminée par le pas des doigts d'électrode de l'électrode IDT (3) est définie comme étant lambda, la longueur L1 d'un espace entre la pointe des premiers doigts d'électrode (7a) et la seconde barre omnibus (6b) et la longueur L2 d'un espace entre la pointe des seconds doigts d'électrode (7b) et la première barre omnibus (6a) va de 0,62 lambda à 0,98 lambda inclus.
(JA) 主モードにおけるフィルタ特性やロスの劣化を抑制しつつ、かつ高次の横モードによるリップルの発生を抑制することができる、弾性波装置を提供する。 圧電基板2と、IDT電極3とを備え、IDT電極3が、第1及び第2のバスバー6a,6bと、複数本の第1及び第2の電極指7a,7bとを有し、IDT電極3において、交差領域R1が、弾性波の音速が相対的に高い中央領域R2と、中央領域R2よりも音速が低くされており、中央領域R2の電極指の延びる方向における両端部に設けられた低音速部R3,R4とを有し、IDT電極3の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、第1の電極指7aの先端と第2のバスバー6bとの間のギャップ長L1、及び第2の電極指6bの先端と第1のバスバー6aとの間のギャップ長L2が、0.62λ以上、0.98λ以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)