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1. (WO2018003048) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS
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Pub. No.: WO/2018/003048 International Application No.: PCT/JP2016/069375
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 30.06.2016
IPC:
H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors: SHITOMI Takuichiro; JP
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; JP
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN) The purpose of the present invention is to provide a technique that is capable of suppressing thinning of a part of an oxide film. According to the present invention, a third oxide film is formed on a nitride film in a first region, and a fourth oxide film is formed on a main surface in a second region. The third oxide film, the nitride film, and a first oxide film are removed from the first region by using a mask. A fifth oxide film is formed on the main surface in the first region after the removal of the third oxide film, the nitride film, and the first oxide film. The fifth oxide film is removed from the first region by using the mask. A sixth oxide film is formed on the main surface in the first region after the removal of the fifth oxide film.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir une technique permettant d'empêcher l'amincissement d'une partie d'une couche d'oxyde. Selon la présente invention, une troisième couche d'oxyde est formée sur une couche de nitrure dans une première région, et une quatrième couche d'oxyde est formée sur une surface principale dans une seconde région. La troisième couche d'oxyde, la couche de nitrure et la première couche d'oxyde sont retirées de la première région à l'aide d'un masque. Une cinquième couche d'oxyde est formée sur la surface principale dans la première région après l'élimination de la troisième couche d'oxyde, de la couche de nitrure et de la première couche d'oxyde. La cinquième couche d'oxyde est retirée de la première région à l'aide du masque. Une sixième couche d'oxyde est formée sur la surface principale dans la première région après le retrait de la cinquième couche d'oxyde.
(JA) 酸化膜の一部分が薄くなることを抑制可能な技術を提供することを目的とする。第1領域の窒化膜上に第3酸化膜を形成するとともに、第2領域の主面上に第4酸化膜を形成する。マスクを用いて第1領域から第3酸化膜、窒化膜、及び、第1酸化膜を除去する。第3酸化膜、窒化膜、及び、第1酸化膜を除去した後に、第1領域の主面上に第5酸化膜を形成する。マスクを用いて第1領域から第5酸化膜を除去する。第5酸化膜を除去した後に、第1領域の主面上に第6酸化膜を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)