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1. (WO2018002767) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/002767    International Application No.:    PCT/IB2017/053619
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 19.06.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: MURAKAWA, Tsutomu; (JP).
TAKEUCHI, Toshihiko; (JP).
KOMAGATA, Hiroki; (JP).
SAWAI, Hiromi; (JP).
YAMANE, Yasumasa; (JP).
SAMBONSUGE, Shota; (JP).
SUGIMOTO, Kazuya; (JP).
YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Priority Data:
2016-131997 01.07.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device includes a first conductor; a first insulator thereover; a first oxide thereover; a second oxide thereover; a second conductor and a third conductor that are separate from each other thereover; a third oxide over the first insulator, the second oxide, the second conductor, and the third conductor; a second insulator thereover; a fourth conductor thereover; and a third insulator over the first insulator, the second insulator, and the fourth conductor. The second oxide includes a region where the energy of the conduction band minimum of an energy band is low and a region where the energy of the conduction band minimum of the energy band is high. The energy of the conduction band minimum of the third oxide is higher than that of the region of the second oxide where the energy of the conduction band minimum is low. Side surfaces of the first oxide and the second oxide are covered with the third oxide.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend un premier conducteur ; un premier isolant au-dessus ; un premier oxyde au-dessus ; un deuxième oxyde au-dessus ; un deuxième conducteur et un troisième conducteur qui sont séparés l'un de l'autre au-dessus ; un troisième oxyde sur le premier isolant, le deuxième oxyde, le deuxième conducteur et le troisième conducteur ; un deuxième isolant au-dessus ; un quatrième conducteur au-dessus ; et un troisième isolant sur le premier isolant, le deuxième isolant et le quatrième conducteur. Le second oxyde comprend une région où l'énergie du minimum de bande de conduction d'une bande d'énergie est faible et une région où l'énergie du minimum de bande de conduction de la bande d'énergie est élevée. L'énergie du minimum de bande de conduction du troisième oxyde est supérieure à celle de la région du deuxième oxyde où l'énergie du minimum de bande de conduction est faible. Les surfaces latérales du premier oxyde et du deuxième oxyde sont recouvertes du troisième oxyde.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)