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1. (WO2018002763) TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/002763    International Application No.:    PCT/IB2017/053576
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 16.06.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Priority Data:
2016-127100 27.06.2016 JP
2016-140980 18.07.2016 JP
Title (EN) TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) TRANSISTOR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A transistor includes a gate electrode, a first conductor, a second conductor, a gate insulator, and a metal oxide. The gate insulator is located between the gate electrode and the metal oxide. The gate electrode includes a region overlapping with the metal oxide with the gate insulator therebetween. The first conductor and the second conductor each include a region in contact with top and side surfaces of the metal oxide. The metal oxide has a layered structure in which oxides each having a first band gap and oxides each having a second band gap and being adjacent to the oxide having the first band gap are alternately stacked in a thickness direction. The metal oxide includes two or more oxides each having the first band gap. The first band gap is smaller than the second band gap.
(FR)L'invention concerne un transistor qui comprend une électrode de grille, un premier conducteur, un second conducteur, un isolant de grille et un oxyde métallique. L'isolant de grille est situé entre l'électrode de grille et l'oxyde métallique. L'électrode de grille comprend une région chevauchant l'oxyde métallique, l'isolant de grille se trouvant entre eux. Le premier conducteur et le second conducteur comprennent chacun une région en contact avec les surfaces supérieure et latérale de l'oxyde métallique. L'oxyde métallique présente une structure stratifiée dans laquelle des oxydes présentant chacun une première largeur de bande interdite et des oxydes présentant chacun une seconde largeur de bande interdite et étant adjacents à l'oxyde présentant la première largeur de bande interdite sont alternativement empilés dans une direction d'épaisseur. L'oxyde métallique comprend au moins deux oxydes présentant chacun la première largeur de bande interdite. La première largeur de bande interdite est plus étroite que la seconde largeur de bande interdite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)