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1. (WO2018002757) TRANSISTOR
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Pub. No.:    WO/2018/002757    International Application No.:    PCT/IB2017/053552
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 15.06.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Priority Data:
2016-131920 01.07.2016 JP
Title (EN) TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR
(JA) トランジスタ
Abstract: front page image
(EN)Provided is a novel transistor. This transistor is provided with a gate electrode, a first and a second conductor, a gate insulator, and first to third metal oxides. The gate insulator is positioned between the gate electrode and the first metal oxide. The gate electrode has a region which overlaps with the second metal oxide, with the gate insulator and the first metal oxide therebetween. The first conductor and the second conductor each have a region that touches the top surface and a side surface of the second metal oxide. The second metal oxide has a laminated structure in which metal oxides respectively having a first or a second band gap are alternately layered, and is provided with at least two layers of the metal oxide having the first band gap. The energy at the bottom of the conduction band of the metal oxide having the first band gap is lower than the energy at the bottom of the conduction band of the metal oxide having the second band gap. The energy at the bottom of the conduction band of the third metal oxide is higher than the energy at the bottom of the conduction band of the metal oxide having the first band gap.
(FR)L'invention concerne un transistor de type nouveau. Ce transistor est pourvu d'une électrode de grille, d'un premier et d'un second conducteur, d'un isolant de grille et d'un premier à un troisième oxyde métallique. L'isolant de grille est positionné entre l'électrode de grille et le premier oxyde métallique. L'électrode de grille présente une région qui chevauche le second oxyde métallique, l'isolant de grille et le premier oxyde métallique se trouvant entre eux. Le premier conducteur et le second conducteur présentent chacun une région qui touche la surface supérieure et une surface latérale du deuxième oxyde métallique. Le deuxième oxyde métallique présente une structure stratifiée dans laquelle des oxydes métalliques présentant respectivement une première ou une seconde largeur de bande interdite sont alternativement stratifiés, et qui est pourvue d'au moins deux couches de l'oxyde métallique présentant la première largeur de bande interdite. L'énergie en bas de la bande de conduction de l'oxyde métallique présentant la première largeur de bande interdite est inférieure à l'énergie en bas de la bande de conduction de l'oxyde métallique présentant la seconde largeur de bande interdite. L'énergie en bas de la bande de conduction du troisième oxyde métallique est supérieure à l'énergie en bas de la bande de conduction de l'oxyde métallique présentant la première largeur de bande interdite.
(JA)新規のトランジスタを提供する。 ゲート電極と、第1および第2の導電体と、ゲート絶縁体と、第1乃至第3の金属酸化物と、を有し、 ゲート絶縁体は、 ゲート電極と第1の金属酸化物との間に位置し、 ゲート電極は、 ゲート絶縁体および第1の金属酸化物を介して、 第2の金属酸化物と重なる領域を有し、 第1の導電体および第2の導電体は、 第2の金属酸化物の上面および側面と接する領域を有し、 第2の金属酸化物は、第1または 第2のバンドギャップを有する金属酸化物が交互に重なる積層構造を有し、第1のバンドギャップを有する金属酸化物を2層以上を有し、第1のバンドギャップを有する金属酸化物の伝導帯下端のエネルギーは、 第2のバンドギャップを有する金属酸化物の伝導帯下端のエネルギーよりも低く、 第3の金属酸化物の伝導帯下端のエネルギーは、第1のバンドギャップを有する金属酸化物の伝導帯下端のエネルギーより高いトランジスタ。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)