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1. (WO2018002497) NUCLEATION STRUCTURE SUITABLE FOR EPITAXIAL GROWTH OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS
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Pub. No.:    WO/2018/002497    International Application No.:    PCT/FR2017/051692
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 26.06.2017
IPC:
C30B 23/02 (2006.01), C30B 23/04 (2006.01), C30B 29/60 (2006.01), C30B 25/04 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment le Ponant D 25 rue Leblanc 75015 PARIS (FR).
ALEDIA [FR/FR]; CHEZ MINATEC BÂTIMENT HAUTE TECHNOLOGIE N°52 7 PARVIS LOUIS NÉEL BP 50 38040 GRENOBLE (FR)
Inventors: AMSTATT, Benoit; (FR).
DUPONT, Florian; (FR).
HENAFF, Ewen; (FR).
HYOT, Bérangère; (FR)
Agent: DUPONT, Jean-Baptiste; (FR).
LE GOALLER, Christophe; (FR).
GUERIN, Jean-Philippe; (FR)
Priority Data:
1656008 28.06.2016 FR
Title (EN) NUCLEATION STRUCTURE SUITABLE FOR EPITAXIAL GROWTH OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ELEMENTS
(FR) STRUCTURE DE NUCLEATION ADAPTEE A LA CROISSANCE EPITAXIALE D'ELEMENTS SEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a nucleation structure (10) suitable for epitaxial growth of three-dimensional semiconductor elements (31), including: a substrate (11) comprising a single-crystal material forming a growth surface (13); a plurality of intermediate portions (14) made of an intermediate crystalline material epitaxially grown from said growth surface (13) and defining an upper intermediate surface (15); a plurality of nucleation portions (16), made of a material comprising a transition metal forming a crystalline nucleation material, each epitaxially grown from the upper intermediate surface (15), and defining a nucleation surface (17) suitable for epitaxial growth of a three-dimensional semiconductor element.
(FR)L'invention porte sur une structure de nucléation (10) adaptée à la croissance épitaxiale d'éléments semiconducteurs tridimensionnels (31), comportant : - un substrat (11) comprenant un matériau monocristallin formant une surface de croissance (13); - une pluralité de portions intermédiaires (14) en un matériau cristallin intermédiaire épitaxié à partir de ladite surface de croissance (13) et définissant une surface intermédiaire supérieure (15); - une pluralité de portions de nucléation (16), en un matériau comprenant un métal de transition formant un matériau cristallin de nucléation, épitaxié chacune à partir de la surface intermédiaire supérieure (15), et définissant une surface de nucléation (17) adaptée à la croissance épitaxiale d'un élément semiconducteur tridimensionnel.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)