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1. (WO2018001182) PHOTOVOLTAIC CELL, PHOTOVOLTAIC CELL ASSEMBLY, PHOTOVOLTAIC ARRAY, AND SOLAR CELL
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Pub. No.:    WO/2018/001182    International Application No.:    PCT/CN2017/089767
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 23.06.2017
IPC:
H01L 31/05 (2014.01), H01L 31/0216 (2014.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/042 (2014.01)
Applicants: BYD COMPANY LIMITED [CN/CN]; No. 3009, BYD Road, Pingshan Shenzhen, Guangdong 518118 (CN)
Inventors: YAO, Yunjiang; (CN)
Agent: TSINGYIHUA INTELLECTUAL PROPERTY LLC; Room 301 Trade Building, Zhaolanyuan, Tsinghua University, Qinghuayuan, Haidian District Beijing 100084 (CN)
Priority Data:
201620678846.5 30.06.2016 CN
Title (EN) PHOTOVOLTAIC CELL, PHOTOVOLTAIC CELL ASSEMBLY, PHOTOVOLTAIC ARRAY, AND SOLAR CELL
(FR) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE, ENSEMBLE DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES, RÉSEAU PHOTOVOLTAÏQUE ET CELLULE SOLAIRE
(ZH) 电池片、电池片组件、电池片矩阵及太阳能电池
Abstract: front page image
(EN)A photovoltaic cell, photovoltaic cell assembly, photovoltaic array, and solar cell. The photovoltaic cell comprises: a silicon wafer (1), a front gate line layer (2), a first electrode (4), and a second electrode (5). The silicon wafer (1) comprises a silicon substrate (11), a first type of front diffusion layer (12), and a side division layer (13). The first type of front diffusion layer (12) is disposed on a light incident layer of the silicon substrate (11). The side division layer (13) is disposed on a side surface of the silicon substrate (11). The front gate line layer (2) is disposed above the first type of front diffusion layer (12). The first electrode (4) is disposed on the side division layer (13) and is electrically connected to the front gate line layer (2). The second electrode (5) is disposed on another side surface of the silicon substrate (11) and is not in contact with the first electrode (4).
(FR)La présente invention concerne une cellule photovoltaïque, un ensemble de cellules photovoltaïques, un réseau photovoltaïque et une cellule solaire. La cellule photovoltaïque comprend : une tranche de silicium (1), une couche de ligne de grille avant (2), une première électrode (4) et une seconde électrode (5). La tranche de silicium (1) comprend un substrat de silicium (11), un premier type de couche de diffusion avant (12) et une couche de division latérale (13). Le premier type de couche de diffusion avant (12) est disposé sur une couche d'incidence de lumière du substrat de silicium (11). La couche de division latérale (13) est disposée sur une surface latérale du substrat de silicium (11). La couche de ligne de grille avant (2) est disposée au-dessus du premier type de couche de diffusion avant (12). La première électrode (4) est disposée sur la couche de division latérale (13) et est électriquement connectée à la couche de ligne de grille avant (2). La seconde électrode (5) est disposée sur une autre surface latérale du substrat de silicium (11) et n'est pas en contact avec la première électrode (4).
(ZH)一种电池片、电池片组件、电池片矩阵及太阳能电池,电池片包括:硅片(1)、正面栅线层(2)、第一电极(4)、以及第二电极(5),硅片(1)包括硅基片(11)、正面第一类扩散层(12)、以及侧面隔层(13),其中,正面第一类扩散层(12)设在硅基片(11)的受光面上,侧面隔层(13)设在硅基片(11)的一个侧表面上,正面栅线层(2)设在正面第一类扩散层(12)上,第一电极(4)设在侧面隔层(13)上且与正面栅线层(2)电连接,第二电极(5)设在硅基片(11)的另一个侧表面上且与第一电极(4)不接触。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)