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1. (WO2018000926) SEMICONDUCTOR HYDROGEN SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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Pub. No.:    WO/2018/000926    International Application No.:    PCT/CN2017/082191
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 27.04.2017
IPC:
G01N 27/00 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: JU, Changcheng; (CN).
WANG, Xiyuan; (CN).
CHEN, Zhuo; (CN).
WANG, Long; (CN)
Agent: CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Priority Data:
201610483672.1 27.06.2016 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR HYDROGEN SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) CAPTEUR D'HYDROGÈNE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(ZH) 半导体氢气传感器及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a semiconductor hydrogen sensor and a manufacturing method thereof. The semiconductor hydrogen sensor comprises: a substrate (1); a gas-sensitive material pattern (2) and a metal electrode pattern (3), which are arranged at the same layer and are alternately distributed on one side of the substrate (1); and a two-dimensional material filtering layer (4) arranged on the side surfaces of the gas-sensitive material pattern (2) and the metal electrode pattern (3) away from the substrate (1). The semiconductor hydrogen sensor can block most macromolecules from passing through. However, for common reducing gases, only hydrogen molecules have a relatively high penetration rate, so that the gas-sensitive material reacts with hydrogen only. The semiconductor hydrogen sensor has a strong selectivity and sensitivity.
(FR)L'invention concerne un capteur d'hydrogène à semi-conducteurs et un procédé de fabrication correspondant. Le capteur d'hydrogène à semi-conducteurs comprend : un substrat (1) ; un motif de matériau sensible au gaz (2) et un motif d'électrode métallique (3) disposés au niveau de la même couche et répartis alternativement sur un côté du substrat (1) ; une couche filtrante en matériau bidimensionnel (4) disposée sur les surfaces latérales du motif de matériau sensible au gaz (2) et du motif d'électrode métallique (3) se trouvant à distance du substrat (1). Le capteur d'hydrogène à semi-conducteurs peut bloquer le passage de la plupart des macromolécules. Cependant, pour les gaz réducteurs communs, seules les molécules d'hydrogène ont un taux de pénétration relativement élevé de sorte que le matériau sensible au gaz réagit uniquement avec l'hydrogène. Le capteur d'hydrogène à semi-conducteurs présente une forte sélectivité et une forte sensibilité.
(ZH)一种半导体氢气传感器及其制作方法。该半导体氢气传感器包括:基板(1);在基板(1)一侧上同层设置并且交替分布的气敏材料图形(2)和金属电极图形(3);以及设置在气敏材料图形(2)和金属电极图形(3)背离基板(1)的侧面上的二维材料过滤层(4)。该半导体氢气传感器能够阻挡多数大分子通过。然而,对于常见的还原性气体来说,仅氢气分子具有较高的穿透率,从而使得气敏材料只与氢气反应。该半导体氢气传感器具有极强的选择性和灵敏度。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)