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1. (WO2018000704) METAL OXIDE/SILICA COATED QUANTUM DOT AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.:    WO/2018/000704    International Application No.:    PCT/CN2016/107168
Publication Date: 04.01.2018 International Filing Date: 25.11.2016
IPC:
C09K 11/02 (2006.01), C09K 11/66 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01)
Applicants: LI, Liang [CN/CN]; (CN)
Inventors: LI, Liang; (CN).
LI, Zhichun; (CN)
Agent: WAYNE INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; Room 332, Building A Zhihui Innovative Center Qianjin 2nd Road, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518126 (CN)
Priority Data:
201610478181.8 27.06.2016 CN
Title (EN) METAL OXIDE/SILICA COATED QUANTUM DOT AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) POINT QUANTIQUE REVÊTU D'OXYDE MÉTALLIQUE/SILICE ET PROCÉDÉ POUR SA PRÉPARATION
(ZH) 一种金属氧化物/二氧化硅包覆的量子点及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to an oxide/silica coated quantum dot and a preparation method therefor. The metal oxide/silica comprises aluminum oxide/silica, zirconia dioxide/silica or titania/silica, and the content of the metal oxide silica in a metal oxide/silica coated quantum dot is 1 to 98wt%. The metal oxide/silica coated quantum dot is prepared by means of a sol-gel reaction or pyrolysis reaction. Compared with the prior art, the preparation process according to the present invention is simple, with no need to use a catalyst or to carry out ligand exchange for the quantum dot, thereby preventing any damage to the quantum dots in the preparation process. Compared with an uncoated quantum dot, the metal oxide/silica-coated quantum dot prepared according to the present invention can effectively prevent erosion on the quantum dot caused by water vapor and oxygen, thanks to a dual protective layer containing the metal oxide/silica, and the light stability thereof is significantly improved.
(FR)La présente invention concerne un point quantique revêtu d'oxyde/silice et un procédé pour sa préparation. L'oxyde métallique/silice comprend de l'oxyde d'aluminium/silice, du dioxyde de zirconium/silice ou du dioxyde de titane/silice et la teneur en oxyde métallique/silice dans un point quantique revêtu d'oxyde métallique/silice est de 1 à 98 % en poids. Le point quantique revêtu d'oxyde métallique/silice est préparé au moyen d'une réaction sol-gel ou d'une réaction de pyrolyse. Par rapport à l'état de la technique, le procédé de préparation selon la présente invention est simple, ne nécessite pas l'utilisation d'un catalyseur ou d'effectuer un échange de ligands pour le point quantique, ce qui empêche ainsi toute détérioration des points quantiques lors du procédé de préparation. Par rapport à un point quantique non revêtu, le point quantique revêtu d'oxyde métallique/silice préparé selon la présente invention peut efficacement empêcher l'érosion sur le point quantique, provoquée par la vapeur d'eau et l'oxygène, grâce à une double couche de protection contenant l'oxyde métallique/la silice, et la stabilité à la lumière correspondante est significativement améliorée.
(ZH)本发明涉及一种金属氧化物/二氧化硅包覆的量子点及其制备方法。所述的金属氧化物/二氧化硅包括三氧化二铝/二氧化硅、二氧化锆/二氧化硅或二氧化钛/二氧化硅,所述的金属氧化物/二氧化硅在金属氧化物/二氧化硅包覆的量子点中含量为1-98wt%;所述的金属氧化物/二氧化硅包覆的量子点由溶胶-凝胶反应法或热解反应法制备得到。与现有技术相比,本发明制备过程简单,无需使用催化剂以及对量子点进行配体交换,避免了制备过程中对量子点的损伤。与未包覆的量子点相比,本发明制备的金属氧化物/二氧化硅包覆的量子点,由于存在金属氧化物/二氧化硅的双重保护层,能够有效阻挡水气、氧气对量子点的侵蚀,其光稳定性显著提高。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)