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1. (WO2017205614) ATOMIC LAYER ETCHING SYSTEMS AND METHODS
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Pub. No.:    WO/2017/205614    International Application No.:    PCT/US2017/034456
Publication Date: 30.11.2017 International Filing Date: 25.05.2017
IPC:
H01L 21/302 (2006.01), C23F 1/00 (2006.01), C23F 1/10 (2006.01), C23F 1/12 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/18 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; World Headquarters Akasaka Biz Tower 3-1, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325 (JP).
FAGUET, Jacques [US/US]; (US) (US only).
HURD, Trace [US/US]; (US) (US only).
BROWN, Ian [GB/US]; (US) (US only)
Inventors: FAGUET, Jacques; (US).
HURD, Trace; (US).
BROWN, Ian; (US)
Agent: SIGNORE, Philippe J.C.; (US).
MASON, J., Derek; (US)
Priority Data:
62/341,987 26.05.2016 US
Title (EN) ATOMIC LAYER ETCHING SYSTEMS AND METHODS
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE GRAVURE DE COUCHE ATOMIQUE
Abstract: front page image
(EN)A processing apparatus includes a processing chamber having a substrate holder; a first gas delivery system configured to deliver a first source gas within the processing chamber; a second gas delivery system configured to deliver a second source gas within the processing chamber; an energy activation system; and processing circuitry. The processing circuitry is configured to control first processing parameters for delivery of the first source gas, control second processing parameters for delivery of the second source gas, control processing chamber parameters and energy activation system parameters to cause a reaction of the first source gas and the second source gas with a surface of one or more parts in the processing chamber to etch an atomic layer from the surface of the one or more parts in absence of a plasma, and control vacuum system parameters for removal of one or more reaction gases from the processing chamber.
(FR)Un appareil de traitement comprend une chambre de traitement possédant un support de substrat; un premier système de distribution de gaz conçu pour distribuer un premier gaz source à l'intérieur de la chambre de traitement; un deuxième système de distribution de gaz conçu pour distribuer un deuxième gaz source à l'intérieur de la chambre de traitement; un système d'activation d'énergie; et un ensemble de circuits de traitement. L'ensemble de circuits de traitement est conçu pour commander des premiers paramètres de traitement pour la distribution du premier gaz source, pour commander des deuxièmes paramètres de traitement pour la distribution du deuxième gaz source, pour commander des paramètres de chambre de traitement et des paramètres de système d'activation d'énergie pour provoquer une réaction du premier gaz source et du deuxième gaz source avec une surface d'une ou plusieurs pièces installées dans la chambre de traitement afin de graver une couche atomique sur la surface desdites une ou plusieurs pièces en l'absence d'un plasma, et pour commander des paramètres de système d'aspiration pour éliminer un ou plusieurs gaz de réaction de la chambre de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)