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1. (WO2017205180) SURFACE MOUNT SOLAR CELL WITH INTEGRATED COVERGLASS
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Pub. No.:    WO/2017/205180    International Application No.:    PCT/US2017/033325
Publication Date: 30.11.2017 International Filing Date: 18.05.2017
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0725 (2012.01), H01L 31/0216 (2014.01)
Applicants: SOLAR JUNCTION CORPORATION [US/US]; 401 Charcot Avenue San Jose, CA 95131 (US)
Inventors: CHARY, Sathya; (US).
LUCOW, Ewelina; (US).
SIALA, Sabeur; (US).
SUAREZ, Ferran; (US).
TORABI, Ali; (US).
ZHANG, Lan; (US)
Agent: LAMBERT, William, R.; (US)
Priority Data:
62/342,660 27.05.2016 US
Title (EN) SURFACE MOUNT SOLAR CELL WITH INTEGRATED COVERGLASS
(FR) CELLULE SOLAIRE À MONTAGE EN SURFACE AVEC COUVRE-OBJET INTÉGRÉ
Abstract: front page image
(EN)Photovoltaic cells, methods for fabricating surface mount multijunction photovoltaic cells, methods for assembling solar panels, and solar panels comprising photovoltaic cells are disclosed. The surface mount multijunction photovoltaic cells include through-wafer-vias for interconnecting the front surface epitaxial layer to a contact pad on the back surface. The through-wafer-vias are formed using a wet etch process that removes semiconductor materials non-selectively without major differences in etch rates between heteroepitaxial III-V semiconductor layers.
(FR)L'invention concerne des cellules photovoltaïques, des procédés de fabrication de cellules photovoltaïques multijonction à montage en surface, des procédés d'assemblage de panneaux solaires, et des panneaux solaires comprenant des cellules photovoltaïques. Les cellules photovoltaïques multijonction à montage en surface comprennent des trous d'interconnexion traversant la tranche permettant d'interconnecter la couche épitaxiale de surface avant à une plage de contact sur la surface arrière. Les trous d'interconnexion traversant la tranche sont formés à l'aide d'un procédé de gravure humide qui élimine les matériaux semi-conducteurs non sélectivement sans différences majeures des vitesses de gravure entre les couches semi-conductrices de groupe III-V hétéroépitaxiales.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)