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1. (WO2017205134) STRIPPING COMPOSITIONS FOR REMOVING PHOTORESISTS FROM SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
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Pub. No.:    WO/2017/205134    International Application No.:    PCT/US2017/033041
Publication Date: 30.11.2017 International Filing Date: 17.05.2017
IPC:
B08B 3/00 (2006.01), C11D 3/20 (2006.01), C23G 1/00 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM ELECTRONIC MATERIALS U.S.A., INC. [US/US]; 80 Circuit Drive N. Kingstown, Rhode Island 02852 (US)
Inventors: MIZUTANI, Atsushi; (BE).
WOJTCZAK, William A.; (US).
SUGISHIMA, Yasuo; (US)
Agent: ZHANG, Tony; (US).
WEFERS, Marc; (US)
Priority Data:
62/340,204 23.05.2016 US
Title (EN) STRIPPING COMPOSITIONS FOR REMOVING PHOTORESISTS FROM SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) COMPOSITIONS DE DÉCAPAGE PERMETTANT DE RETIRER DES PHOTORÉSERVES DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)This disclosure relates to compositions containing 1) at least one water soluble polar aprotic organic solvent; 2) at least one quaternary ammonium hydroxide; 3) at least one compound comprising at least three hydroxyl groups; 4) at least one carboxylic acid; 5) at least one Group II metal cation; 6) at least one copper corrosion inhibitor selected from the group consisting of 6-substituted-2,4-diamino-1,3,5-triazines; and 7) water. The compositions can effectively strip positive or negative-tone resists or resist residues, and be non-corrosive to bumps and underlying metallization materials (such as SnAg, CuNiSn, CuCoCu, CoSn, Ni, Cu, Al, W, Sn, Co, and the like) on a semiconductor substrate.
(FR)La présente invention concerne des compositions contenant : 1) au moins un solvant organique, aprotique, polaire et hydrosoluble ; 2) au moins un hydroxyde d'ammonium quaternaire ; 3) au moins un composé comprenant au moins trois groupes hydroxyle ; 4) au moins un acide carboxylique ; 5) au moins un cation de métal du groupe II ; 6) au moins un inhibiteur de corrosion du cuivre sélectionné dans le groupe constitué par les 2,4-diamino-1,3,5-triazines substituées en position 6 ; et 7) de l'eau. Les compositions peuvent efficacement décaper des résidus de réserves ou des réserves de ton positif ou négatif sans être corrosives par rapport aux protubérances et aux matériaux de métallisation sous-jacents (tels que SnAg, CuNiSn, CuCoCu, CoSn, Ni, Cu, Al, W, Sn, Co et assimilés) sur un substrat semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)