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1. (WO2017204114) SCANNING ANTENNA AND METHOD FOR MANUFACTURING SCANNING ANTENNA
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Pub. No.:    WO/2017/204114    International Application No.:    PCT/JP2017/018860
Publication Date: 30.11.2017 International Filing Date: 19.05.2017
IPC:
H01Q 3/34 (2006.01), H01Q 3/44 (2006.01), H01Q 13/22 (2006.01), H01Q 21/06 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: OHTAKE Tadashi; (--).
MINOURA Kiyoshi; (--).
NAKAZAWA Makoto; (--).
ORUI Takatoshi; (--).
NAKAMURA Wataru; (--)
Agent: OKUDA Seiji; (JP)
Priority Data:
2016-106512 27.05.2016 JP
Title (EN) SCANNING ANTENNA AND METHOD FOR MANUFACTURING SCANNING ANTENNA
(FR) ANTENNE À BALAYAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ANTENNE À BALAYAGE
(JA) 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法
Abstract: front page image
(EN)A scanning antenna (1000A) includes: a TFT substrate (101) having a first dielectric substrate (1), TFTs supported on the first dielectric substrate (1), gate bus lines, source bus lines, and a patch electrode (15); a slot substrate (201A) having a second dielectric substrate (51), and a slot electrode (55) formed on a first main surface of the second dielectric substrate (51); a liquid crystal layer (LC) provided between the TFT substrate (101) and the slot substrate (201A); and a reflective conduction plate (65) disposed so as to face a second main surface of the second dielectric substrate (51) on a side opposite the first main surface across a dielectric layer (54). The slot electrode (55) has a slot (57) disposed corresponding to the patch electrode (15), and the patch electrode (15) is connected to the drain of the corresponding TFT. There is formed in the slot (57) a low-dielectric-loss material layer (57A) made from a material having a smaller dielectric loss with respect to microwaves than the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer (LC).
(FR)L'invention porte sur une antenne à balayage (1000A) qui comprend : un substrat TFT (101) comprenant un premier substrat diélectrique (1), des transistors à couches minces (TFT) portés sur le premier substrat diélectrique (1), des lignes de bus de grille, des lignes de bus de source et une électrode à plaque (15) ; un substrat à fente (201A) comprenant un second substrat diélectrique (51) et une électrode à fente (55) formée sur une première surface principale du second substrat diélectrique (51) ; une couche de cristal liquide (LC) disposée entre le substrat TFT (101) et le substrat à fente (201A) ; et une plaque conductrice réfléchissante (65) disposée pour faire face à une seconde surface principale du second substrat diélectrique (51), d'un côté opposé à la première surface principale, une couche diélectrique (54) étant intercalée entre elles. L'électrode à fente (55) comporte une fente (57) agencée pour correspondre à l'électrode à plaque (15), et l'électrode à plaque (15) est connectée au drain du TFT correspondant. Dans la fente (57) est formée une couche de matériau à faible pertes diélectriques (57A) constituée d'un matériau présentant de plus faibles pertes diélectriques aux hyperfréquences que le matériau cristal liquide constituant la couche de cristal liquide (LC).
(JA)走査アンテナ(1000A)は、第1誘電体基板(1)と、第1誘電体基板(1)に支持されたTFTと、ゲートバスラインと、ソースバスラインと、パッチ電極(15)とを有するTFT基板(101)と、第2誘電体基板(51)と、第2誘電体基板(51)の第1主面上に形成されたスロット電極(55)とを有するスロット基板(201A)と、TFT基板(101)とスロット基板(201A)との間に設けられた液晶層(LC)と、第2誘電体基板(51)の第1主面と反対側の第2主面に誘電体層(54)を介して対向するように配置された反射導電板(65)とを有し、スロット電極(55)は、パッチ電極(15)に対応して配置されたスロット(57)を有し、パッチ電極(15)は、対応するTFTのドレインに接続されており、スロット(57)に液晶層(LC)を構成する液晶材料よりもマイクロ波に対する誘電損失が小さい物質で構成されている低誘電損失物質層(57A)が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)