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1. (WO2017203185) HIGH-ELECTRON-MOBILITY DEVICE WITH INTEGRATED PASSIVE ELEMENTS
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Pub. No.: WO/2017/203185 International Application No.: PCT/FR2017/051314
Publication Date: 30.11.2017 International Filing Date: 26.05.2017
IPC:
H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 21/8252 (2006.01)
Applicants: EXAGAN[FR/FR]; 7 Parvis Louis Néel BP 50 38040 Grenoble Cedex 9, FR
Inventors: GUENARD, Pascal; FR
GUILLOT, Laurent; FR
Agent: BREESE, Pierre; FR
Priority Data:
165471426.05.2016FR
Title (EN) HIGH-ELECTRON-MOBILITY DEVICE WITH INTEGRATED PASSIVE ELEMENTS
(FR) DISPOSITIF A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE AVEC ELEMENTS PASSIFS INTEGRES
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a device (110) comprising: • an active layer including a stack of layers (1a, 1b) that is capable of developing a two-dimensional electron gas layer (2); • a first source electrode and a first drain electrode, each making contact with the active layer, an active region extending between the first source electrode and the first drain electrode; • a first gate electrode between the first source and drain electrodes; the device is noteworthy in that it comprises at least one passive element (7) formed in the active layer by a segment of the two-dimensional electron gas layer, outside the active region, and having two terminals (8, 9).
(FR) L'invention concerne un dispositif (110) comprenant : • Une couche active comportant un empilement de couches (1a,1b) apte à développer une couche de gaz d'électrons à deux dimensions (2); • Une première électrode de source et une première électrode de drain chacune en contact avec la couche active, une région active s'étendant entre la première électrode de source et la première électrode de drain; • Une première électrode de grille entre les premières électrodes de source et de drain; Le dispositif est remarquable en ce qu'il comprend au moins un élément passif (7) formé dans la couche active par un segment de la couche de gaz d'électrons à deux dimensions, en dehors de la région active, et présentant deux bornes (8,9).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)