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1. (WO2017201791) METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE AND TFT SUBSTRATE
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Pub. No.:    WO/2017/201791    International Application No.:    PCT/CN2016/086849
Publication Date: 30.11.2017 International Filing Date: 23.06.2016
IPC:
H01L 21/77 (2017.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventors: ZHOU, Zhichao; (CN).
XIA, Hui; (CN)
Agent: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Priority Data:
201610345315.9 23.05.2016 CN
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE AND TFT SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TFT ET SUBSTRAT DE TFT
(ZH) TFT基板的制作方法及TFT基板
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a TFT substrate and a TFT substrate. The method for manufacturing a TFT substrate uses a dual-gate structure. The dual gates are symmetrically distributed at two sides of an active layer (30), so that a variation in a threshold voltage of a TFT can be effectively prevented, thereby enhancing switching characteristics of the TFT. In addition, by making the active layer (30) and then making a gate insulating layer (40), the gate insulating layer (40) is directly grown on the active layer (30), so that the contact interface between the gate insulating layer (40) and the active layer (30) is improved, thereby further enhancing the switching characteristics of the TFT. Different from a TFT substrate having a bottom gate or top gate structure, in the TFT substrate, gates (52) and (53) are located between a source (22) and a pixel electrode (70) in a vertical direction, and the dual-gate structure symmetrical about the active layer (30) is used, so that a variation in a threshold voltage of a TFT can be prevented, thereby enhancing switching characteristics of the TFT, and the contact interface between the gate insulating layer (40) and the active layer (30) is improved, thereby enhancing the switching characteristics of the TFT.
(FR)L’invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat de transistor à couches minces (TFT) et sur un substrat de TFT. Le procédé de fabrication du substrat de TFT utilise une structure à deux grilles. Les deux grilles sont réparties symétriquement sur deux côtés d'une couche active (30), afin de pouvoir empêcher efficacement une variation de la tension de seuil du TFT, ce qui permet d'améliorer les caractéristiques de commutation du TFT. De plus, par formation de la couche active (30) puis formation d'une couche d'isolation de grille (40), la couche d'isolation de grille (40) est directement formée par croissance sur la couche active (30), afin d'améliorer l'interface de contact entre la couche d'isolation de grille (40) et la couche active (30), ce qui permet de parfaire encore les caractéristiques de commutation du TFT. Contrairement à un substrat de TFT comportant une structure de grille inférieure ou de grille supérieure, dans le substrat de TFT, des grilles (52) et (53) sont situées entre une source (22) et une électrode de pixel (70) dans une direction verticale, et la structure à deux grilles utilisée est symétrique autour de la couche active (30), afin de pouvoir empêcher une variation de la tension de seuil d'un TFT, ce qui permet d'améliorer les caractéristiques de commutation du TFT, et d'améliorer l'interface de contact entre la couche d'isolation de grille (40) et la couche active (30), ce qui permet de parfaire les caractéristiques de commutation du TFT.
(ZH)一种TFT基板的制作方法及TFT基板。该TFT基板的制作方法采用双栅极结构,该双栅极在有源层(30)两侧对称分布,能有效防止TFT阈值电压的变动,提升TFT的开关特性;同时通过先制作有源层(30)后制作栅极绝缘层(40),使栅极绝缘层(40)直接生长于有源层(30)上,改善了栅极绝缘层(40)与有源层(30)的接触界面,进一步提升TFT的开关特性。该TFT基板区别于底栅或顶栅结构的TFT基板,使栅极(52)、(53)在竖直方向上位于源极(22)和像素电极(70)之间,并且采用对称于有源层(30)的双栅极结构,能防止TFT阈值电压的变动,提升TFT的开关特性,同时改善栅极绝缘层(40)与有源层(30)的接触界面,提升TFT的开关特性。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)