(EN) Provided are a backside metal structure of a power semiconductor chip and a preparation method therefor. Beginning from the position of the backside of the chip in contact with silicon, the metal structure successively comprises: an NixSiy layer, the thickness of the NixSiy layer being 2 nm - 20 nm, wherein x : y is (1-2) : (1-2); a titanium layer, the thickness of the titanium layer being 50 nm - 150 nm; a nickel layer, the thickness of the nickel layer being 100 nm - 300 nm; and a silver layer, the thickness of the silver layer being 500 nm - 2000 nm. The provided backside metal structure of a power semiconductor chip has a smaller parasitic resistance, which is beneficial to reduce the conduction loss of the power semiconductor chip.
(FR) L'invention porte sur une structure métallique arrière d'une puce de semi-conducteur de puissance et sur son procédé de préparation. Partant de la position du côté arrière de la puce en contact avec le silicium, la structure métallique comprend successivement : une couche de NixSiy, l'épaisseur de la couche de NixSiy étant de 2 nm à 20 nm, où x : y est (1-2) : (1-2) ; une couche de titane, l'épaisseur de la couche de titane étant de 50 nm à 150 nm ; une couche de nickel, l'épaisseur de la couche de nickel étant de 100 nm à 300 nm ; et une couche d'argent, l'épaisseur de la couche d'argent étant de 500 nm à 2 000 nm. La structure métallique arrière d'une puce de semi-conducteur de puissance selon l'invention présente une résistance parasite plus petite, ce qui est avantageux pour réduire la perte de conduction de la puce de semi-conducteur de puissance.
(ZH) 提供了一种功率半导体芯片背面金属结构及其制备方法，该金属结构自芯片背面与硅接触的位置开始依次为：Ni xSi y层，所述Ni xSi y层的厚度为2nm-20nm，其中x∶y为(1-2)∶(1-2)；钛层，钛层的厚度为50nm-150nm；镍层，镍层的厚度为100nm-300nm；银层，银层的厚度为500nm-2000nm。所提供的功率半导体芯片的背面金属结构，其寄生电阻更小，有利于降低功率半导体芯片的导通损耗。