WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017200850) ARRAY OF THREE-GATE FLASH MEMORY CELLS WITH INDIVIDUAL MEMORY CELL READ, PROGRAM AND ERASE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.:    WO/2017/200850    International Application No.:    PCT/US2017/032280
Publication Date: 23.11.2017 International Filing Date: 11.05.2017
IPC:
H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/115 (2017.01), H01L 27/1159 (2017.01)
Applicants: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventors: TRAN, Hieu Van; (US).
TIWARI, Vipin; (US).
DO, Nhan; (US)
Agent: LIMBACH, Alan A.; (US)
Priority Data:
15/593,231 11.05.2017 US
62/337,582 17.05.2016 US
Title (EN) ARRAY OF THREE-GATE FLASH MEMORY CELLS WITH INDIVIDUAL MEMORY CELL READ, PROGRAM AND ERASE
(FR) RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE FLASH À TROIS PORTES AYANT UNE LECTURE, UN PROGRAMME ET UN EFFACEMENT DE CELLULES DE MÉMOIRE INDIVIDUELLES
Abstract: front page image
(EN)A memory device and method of erasing same that includes a substrate of semiconductor material and a plurality of memory cells formed on the substrate and arranged in an array of rows and columns. Each of the memory cells includes spaced apart source and drain regions in the substrate, with a channel region in the substrate extending there between, a floating gate disposed over and insulated from a first portion of the channel region which is adjacent the source region, a select gate disposed over and insulated from a second portion of the channel region which is adjacent the drain region, and a program-erase gate disposed over and insulated from the source region. The program-erase gate lines alone or in combination with the select gate lines, or the source lines, are arranged in the column direction so that each memory cell can be individually programmed, read and erased.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif de mémoire et sur son procédé d'effacement qui comprennent un substrat en matériau semi-conducteur et une pluralité de cellules de mémoire formées sur le substrat et disposées en un réseau de rangées et de colonnes. Chaque cellule de mémoire comprend des régions de source et de drain espacées dans le substrat, une région de canal dans le substrat s'étendant entre ces dernières, une grille flottante disposée au-dessus, et isolée, d'une première partie de la région de canal qui est adjacente à la région de source, une grille de sélection disposée au-dessus, et isolée, d'une seconde partie de la région de canal qui est adjacente à la région de drain, et une grille d'effacement de programme disposée au-dessus, et isolée, de la région de source. Les lignes de grille d'effacement de programme seules ou en combinaison avec les lignes de grille de sélection, ou les lignes de source, sont disposées dans la direction de colonne de telle sorte que chaque cellule de mémoire puisse être programmée, lue et effacée individuellement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)