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1. (WO2017200620) RING LASER INTEGRATED WITH SILICON-ON-INSULATOR WAVEGUIDE
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Pub. No.:    WO/2017/200620    International Application No.:    PCT/US2017/019907
Publication Date: 23.11.2017 International Filing Date: 28.02.2017
IPC:
H01S 5/10 (2006.01)
Applicants: STC.UNM [US/US]; Suite 101 801 University Blvd., SE Albuquerque, New Mexico 87106 (US)
Inventors: OSINSKI, Marek; (US).
SMOLYAKOV, Gennady A.; (US)
Agent: VOGT, Keith A; (US)
Priority Data:
62/301,414 29.02.2016 US
Title (EN) RING LASER INTEGRATED WITH SILICON-ON-INSULATOR WAVEGUIDE
(FR) LASER EN ANNEAU INTÉGRÉ À UN GUIDE D'ONDES SILICIUM SUR ISOLANT
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides one or more injection-lockable whistle-geometry semiconductor ring lasers, which may be cascaded, that are integrated on a common silicon-on-insulator (SOI) substrate with a single-frequency semiconductor master laser, wherein the light output from the semiconductor master laser is used to injection-lock the first of the semiconductor ring lasers. The ring lasers can be operated in strongly injection-locked mode, while at least one of them is subjected to direct injection current modulation.
(FR)La présente invention concerne un ou plusieurs lasers en anneau à semi-conducteur à géométrie de sifflet pouvant être verrouillés par injection, qui peuvent être montés en cascade et qui sont intégrés sur un substrat silicium sur isolant (SSI) commun avec un laser maître à semi-conducteur à fréquence unique, la lumière émise par le laser maître à semi-conducteur servant à verrouiller par injection le premier des lasers en anneau à semi-conducteur. Les lasers en anneau peuvent être mis en fonctionnement dans un mode fortement verrouillé par injection, tandis qu'au moins l'un d'entre eux est soumis à une modulation de courant d'injection directe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)